Haut kucke mer e Bléck op OFC2024photodetectors, déi haaptsächlech GeSi PD/APD, InP SOA-PD, an UTC-PD enthalen.
1. UCDAVIS realiséiert eng schwaach Resonanz 1315.5nm net-symmetresch Fabry-Perotfotodetektormat ganz kleng Kapazitéit, geschat op 0,08fF. Wann d'Bias -1V (-2V) ass, ass den donkelen Stroum 0,72 nA (3,40 nA), an d'Äntwertrate ass 0,93a /W (0,96a /W). Déi gesättegt optesch Kraaft ass 2 mW (3 mW). Et kann 38 GHz High-Speed-Datenexperimenter ënnerstëtzen.
Déi folgend Diagramm weist d'Struktur vun der AFP PD, déi aus engem Welleguide gekoppelt Ge-on-Si Fotodetektormat engem Front SOI-Ge Waveguide deen > 90% Modus passende Kupplung mat enger Reflexivitéit vun <10% erreecht. Den Heck ass e verdeelt Bragg-Reflektor (DBR) mat enger Reflexivitéit vun >95%. Duerch den optimiséierte Kavitéitsdesign (Round-Trip Phase Matching Conditioun) kann d'Reflexioun an d'Transmissioun vum AFP-Resonator eliminéiert ginn, wat zu der Absorptioun vum Ge-Detektor op bal 100% resultéiert. Iwwer déi ganz 20nm Bandbreedung vun der zentraler Wellelängt, R + T <2% (-17 dB). D'Ge Breet ass 0.6µm an d'Kapazitéit gëtt op 0.08fF geschat.
2, Huazhong University of Science and Technology produzéiert e Silizium GermaniumLawine Photodiode, bandwidth> 67 GHz, gewannen> 6,6. SACMAPD PhotodetektorD'Struktur vum transversale Pipinverbindung gëtt op enger Silizium optesch Plattform fabrizéiert. Intrinsesch Germanium (i-Ge) an intrinsesch Silizium (i-Si) déngen als d'Liichtabsorbéierend Schicht respektiv Elektronen Verdueblungsschicht. D'i-Ge Regioun mat enger Längt vun 14µm garantéiert adäquate Liichtabsorption bei 1550nm. Déi kleng i-Ge an i-Si Regioune si hëllefräich fir d'Fotostroumdensitéit ze erhéijen an d'Bandbreedung ënner héijer Biasspannung auszebauen. D'APD Auge Kaart gouf bei -10,6 V gemooss. Mat enger Input optesch Kraaft vun -14 dBm gëtt d'Ae Kaart vun den 50 Gb/s an 64 Gb/s OOK Signaler hei ënnen gewisen, an de gemoossene SNR ass 17,8 an 13,2 dB , respektiv.
3. IHP 8-Zoll BiCMOS Pilot Linn Ariichtungen weist engem germaniumPD Photodetektormat Fin Breet vun ongeféier 100 nm, déi dat héchsten elektrescht Feld an déi kuerzst Fotocarrier Driftzäit generéiere kann. Ge PD huet OE Bandbreedung vun 265 GHz @ 2V @ 1.0mA DC photocurrent. De Prozessflow gëtt hei ënnen gewisen. Déi gréissten Feature ass datt déi traditionell SI gemëscht Ionimplantatioun opginn ass, an de Wuesstumsätsschema gëtt ugeholl fir den Afloss vun der Ionimplantatioun op Germanium ze vermeiden. Den donkelen Stroum ass 100nA,R = 0,45A /W.
4, HHI weist InP SOA-PD, besteet aus SSC, MQW-SOA an Héichgeschwindegkeet Photodetektor. Fir d'O-Band. PD huet eng Reaktiounsfäegkeet vun 0,57 A/W mat manner wéi 1 dB PDL, während SOA-PD eng Reaktiounsfäegkeet vun 24 A/W mat manner wéi 1 dB PDL huet. D'Bandbreed vun deenen zwee ass ~60GHz, an den Ënnerscheed vun 1 GHz kann un d'Resonanzfrequenz vun der SOA zougeschriwwe ginn. Kee Mustereffekt gouf am aktuellen Auge Bild gesinn. De SOA-PD reduzéiert déi erfuerderlech optesch Kraaft ëm ongeféier 13 dB bei 56 GBaud.
5. ETH implementéiert Typ II verbessert GaInAsSb / InP UTC-PD, mat enger Bandbreedung vu 60GHz @ Nullbias an enger héijer Ausgangskraaft vun -11 DBM bei 100GHz. Fortsetzung vun de fréiere Resultater, benotzt GaInAsSb seng verstäerkte Elektronentransportfäegkeeten. An dësem Pabeier enthalen déi optimiséiert Absorptiounsschichten eng staark dotéiert GaInAsSb vun 100 nm an en ongedopte GaInAsSb vun 20 nm. D'NID-Schicht hëlleft fir d'Gesamtreaktiounsfäegkeet ze verbesseren an och hëlleft d'Gesamtkapazitéit vum Apparat ze reduzéieren an d'Bandbreedung ze verbesseren. De 64µm2 UTC-PD huet eng Null-Bandbreedung vu 60 GHz, eng Ausgangskraaft vun -11 dBm bei 100 GHz, an e Sättigungsstroum vu 5,5 mA. Bei enger ëmgekéierter Viraussetzung vun 3 V erhéicht d'Bandbreedung op 110 GHz.
6. Innolight etabléiert d'Frequenz Äntwert Modell vun germanium Silicon photodetector op der Basis vun voll betruecht Apparat Doping, elektresch Feld Verdeelung an photo-generéiert Carrier Transfert Zäit. Wéinst der Bedierfnes fir grouss Inputkraaft an héijer Bandbreedung a ville Applikatiounen, wäert grouss optesch Kraaftinput eng Ofsenkung vun der Bandbreedung verursaachen, déi bescht Praxis ass d'Trägerkonzentratioun am Germanium duerch strukturellen Design ze reduzéieren.
7, Tsinghua University entworf dräi Zorte vun UTC-PD, (1) 100GHz Bandbreedung duebel Drift Layer (DDL) Struktur mat héich Sättigung Muecht UTC-PD, (2) 100GHz Bandbreedung duebel Drift Layer (DCL) Struktur mat héich Reaktiounsfäegkeet UTC-PD , (3) 230 GHZ Bandbreedung MUTC-PD mat héijer Sättigungskraaft, Fir verschidden Applikatiounsszenarien, héich Sättigungskraaft, héich Bandbreedung an héich Reaktiounsfäegkeet kënnen an Zukunft nëtzlech sinn wann Dir 200G Ära eragitt.
Post Zäit: Aug-19-2024