OFC2024 Fotodetektoren

Haut kucke mer eis emol den OFC2024 unphotodetectors, déi haaptsächlech GeSi PD/APD, InP SOA-PD an UTC-PD enthalen.

1. UCDAVIS realiséiert eng schwaach resonant 1315,5 nm net-symmetresch Fabry-Perot-MethodeFotodetektormat enger ganz klenger Kapazitéit, déi op 0,08 fF geschat gëtt. Wann d'Bias -1 V (-2 V) ass, ass den Däischterstroum 0,72 nA (3,40 nA), an d'Äntwertrate ass 0,93 a / W (0,96 a / W). Déi gesättigte optesch Leeschtung ass 2 mW (3 mW). Et kann 38 GHz High-Speed-Datenexperimenter ënnerstëtzen.
Déi folgend Diagramm weist d'Struktur vum AFP PD, deen aus engem Wellenleiter-gekoppelten Ge-on- besteet.Si-Fotodetektormat engem viischte SOI-Ge-Wellenleiter, deen eng Modus-Matching-Kopplung vun > 90% mat enger Reflexiounsfäegkeet vun <10% erreecht. Den hënneschten Deel ass e verdeelte Bragg-Reflektor (DBR) mat enger Reflexiounsfäegkeet vun >95%. Duerch den optiméierten Kavitéitsdesign (Round-Trip Phase-Matching-Konditioun) kann d'Reflexioun an d'Transmissioun vum AFP-Resonator eliminéiert ginn, wat zu enger Absorptioun vum Ge-Detektor op bal 100% féiert. Iwwer déi ganz 20nm Bandbreet vun der zentraler Wellelängt ass R+T <2% (-17 dB). D'Ge-Breet ass 0,6µm an d'Kapazitéit gëtt op 0,08fF geschat.

2, Huazhong Universitéit fir Wëssenschaft an Technologie huet e Silizium-Germanium produzéiertLawinen-Fotodiod, Bandbreet >67 GHz, Gewënn >6,6. Den SACMAPD-FotodetektorD'Struktur vun der transversaler Pipin-Verbindung gëtt op enger optescher Siliziumplattform fabrizéiert. Intrinsescht Germanium (i-Ge) an intrinsescht Silizium (i-Si) déngen als Liichtabsorbéierend Schicht respektiv Elektronenverdueblungschicht. D'i-Ge-Regioun mat enger Längt vun 14µm garantéiert eng adäquat Liichtabsorptioun bei 1550 nm. Déi kleng i-Ge- an i-Si-Regiounen droen dozou bäi, d'Fotostroumdicht ze erhéijen an d'Bandbreet ënner héijer Biasspannung auszebauen. D'APD-Aenkaart gouf bei -10,6 V gemooss. Mat enger optescher Inputleistung vun -14 dBm gëtt d'Aenkaart vun den 50 Gb/s an 64 Gb/s OOK-Signaler hei ënnendrënner gewisen, an den gemoossene SNR ass 17,8 respektiv 13,2 dB.

3. IHP 8-Zoll BiCMOS Pilotlinnanlagen weisen e GermaniumPD-Fotodetektormat enger Finnebreet vu ronn 100 nm, wat dat héchst elektrescht Feld an déi kuerst Phototräger-Driftzäit generéiere kann. Ge PD huet eng OE-Bandbreet vun 265 GHz@2V@ 1.0mA DC Photostroum. De Prozessoflaf gëtt hei ënnendrënner gewisen. Déi gréisst Eegeschaft ass, datt déi traditionell SI-Mëschionenimplantatioun opginn gëtt, an de Wuesstumsätzschema ugeholl gëtt fir den Afloss vun der Ionenimplantatioun op Germanium ze vermeiden. Den Donkelstroum ass 100nA, R = 0.45A/W.
4, HHI weist InP SOA-PD, deen aus SSC, MQW-SOA an engem High-Speed-Photodetektor besteet. Fir den O-Band huet PD eng Reaktiounsfäegkeet vun 0,57 A/W mat manner wéi 1 dB PDL, während SOA-PD eng Reaktiounsfäegkeet vun 24 A/W mat manner wéi 1 dB PDL huet. D'Bandbreet vun deenen zwee ass ~60 GHz, an den Ënnerscheed vun 1 GHz kann op d'Resonanzfrequenz vum SOA zréckgefouert ginn. Kee Mustereffekt gouf am aktuellen Aebild gesinn. Den SOA-PD reduzéiert déi erfuerderlech optesch Leeschtung ëm ongeféier 13 dB bei 56 GBaud.

5. ETH implementéiert en Typ II verbesserte GaInAsSb/InP UTC-PD, mat enger Bandbreet vun 60 GHz bei Null-Bias an enger héijer Ausgangsleistung vun -11 DBM bei 100 GHz. Fortsetzung vun de viregten Resultater, mat Hëllef vun de verbesserte Elektronentransportfäegkeete vu GaInAsSb. An dëser Aarbecht enthalen déi optiméiert Absorptiounsschichten en staark dotierten GaInAsSb vun 100 nm an en ondotierten GaInAsSb vun 20 nm. D'NID-Schicht hëlleft d'Gesamtreaktiounsfäegkeet ze verbesseren an hëlleft och d'Gesamtkapazitanz vum Apparat ze reduzéieren an d'Bandbreet ze verbesseren. Den 64µm2 UTC-PD huet eng Null-Bias Bandbreet vun 60 GHz, eng Ausgangsleistung vun -11 dBm bei 100 GHz an e Sättigungsstroum vu 5,5 mA. Bei engem Réckwärts-Bias vun 3 V klëmmt d'Bandbreet op 110 GHz.

6. Innolight huet de Frequenzantwortmodell vum Germanium-Silicium-Fotodetektor op Basis vun der voller Berécksiichtegung vun der Dotierung vum Apparat, der Verdeelung vum elektresche Feld an der Transferzäit vum photogeneréierte Carrier etabléiert. Well eng grouss Inputleistung a villen Uwendungen eng héich Bandbreet brauch, féiert eng grouss optesch Leeschtung zu enger Ofsenkung vun der Bandbreet. Déi bescht Praxis ass et, d'Carrierkonzentratioun am Germanium duerch e strukturellt Design ze reduzéieren.

7, D'Tsinghua Universitéit huet dräi Zorte vun UTC-PD entwéckelt, (1) 100GHz Bandbreet Duebeldriftschicht (DDL) Struktur mat héijer Sättigungsleistung UTC-PD, (2) 100GHz Bandbreet Duebeldriftschicht (DCL) Struktur mat héijer Reaktiounsfäegkeet UTC-PD, (3) 230 GHz Bandbreet MUTC-PD mat héijer Sättigungsleistung. Fir verschidden Uwendungsszenarien kënnen eng héich Sättigungsleistung, eng héich Bandbreet an eng héich Reaktiounsfäegkeet an der Zukunft nëtzlech sinn, wann een an d'200G Ära kënnt.