De Prinzip an der aktueller Situatioun vunAvalanche PhotoDetector (Apd PhotoDotektor) Deel zwee
2.2 APD Chip Struktur
Vernünfteg Chip Struktur ass d'Basis Garantie vun héijer Performance Geräter. De strukturellen Design vun APD haaptsächlech berücksichtegt RC Zäit konstant, Lach Capture op heteramunction, Carrrit TRUIT ZÄIT AUSZTIOUN Regioun an esou weider. D'Entwécklung vu senger Struktur gëtt hei ënnendrummen:
(1) Basis Struktur
Déi einfachst Apd Struktur baséiert op der PIN Photoride, ass Haapt an Nationalitéite staarkduerch anerer an de P-Typ oder P-Typ oder-Pelume Eierly Elektronen. Fir Inp Serie Serie Materialien, well de Lach Impakt Ionisoffakt méi wéi den Elektrish Actoaktiaktize war, ass d'Gewënnregioun vun der N-Typ Doping an der P Regioun. An enger ideal Situatioun ass nëmmen zu der Wand an derem Belounung an derander Regioun, sou datt dës Struktur ass eng lomro gefouert Entwécklung, déi e Lak-verwaltegst Struktur ernannt gëtt e Lak-onschwiesserstruktur.
(2) Absorptioun a Gewënn sinn z'ënnerscheeden
Wéinst der breeder Band Spap Charakteristike vun Inp (Inp ass 1.35erv an ingaas ass 0.75EV), inp gëtt normalerweis als Gewënnzonem Zonform an den Absorazerzëmmer benotzt.
(3) d'Absorptioun, Gradient a Gewënn (Sagm) Strukture ginn respektiv
Et muss guer de kommentéierend Achdeschen Entsetze benotzt, déi zu Lëtzebuerg, héchstmaterial, Irutken, déi ënner héijer elektresch Layir benotzen (> 5305V Fir dëst Material, den Design vun dësem Apd ass datt de Avinanchact Prozess an der N-Typ inp forméiert ass vun der Kollisioun vu Lächer. Bedenkt de groussen Ënnerscheed am Bandbléck an d'Geschwindegkeet an üblech reduzéiert, an enger laanger Säitzäit an der Valemandband, déi an der Vendaverbreedung huet an den Hetereveraarbechtung an der Rutschverbindung verstoppt Dëse Problem ka geléist ginn andeems se eng Türasungverbolschung tëscht den zwee Material derbäigesat ginn.
(4) Den Absider, gradiär, berechnen a gewannen (Sagcm) Strukturen ginn regelméisseg
Fir datt Dir d'elektresch Feldverbreckung vun der Atensivschicht an den Empfangsicht ass an den Apparat Datum agefouert, déi den Apparat-Geschwindegkeet an Usproch an Usprochnesskeet an den Apparat
(5) Resonator verbessert (Rce) Sagcm Struktur
An de ronn eidel Design vun traditionellen Design vu traditionille Ofkilleegkeet musse mir mech op der Spëtzungsbildung fir den Ustrengungscité an der Ofsenkung vun ugewisenen. Déi hënnescht Daze vun der AKatur kann déi Carrière d'Trennungszäit reduzéieren, sou datt eng grouss Bands däi Band gebidt. Awer zur selwechter Zäit, fir méi héich Quantrad Effizienz ze kréien, d'Absorption Schicht muss eng genuch Déck maachen. D'Léisung fir dëse Problem kann déi resonant Kavitéit (Rce) Struktur sinn, dat ass, dat ass de Verdeelungszlector (DBB) ass um Enn vum Apparat entworf. Den DB Spigel besteet aus zwou Aarte vu Material mat niddregen refraktive Index an héije Verkéiersindex an der Struktur, an déi zwee wuessen, an den Décker vun allen Schichter vun allen Déckel vun allen Déckel vun allen Déckel vun allen Déckel. De Rectruis stand ass den Dame online reseoréieren, d'Dicke vun der méiwäerteg Verhalen geroden, an d'Quantitäreffekter norechter ass no accentiséieren.
(6) Rand-Koppelwecoguide Struktur (WG-apd)
Eng aner Léisung fir d'Kontradiktioun vun ënnerschiddleche Effekter vun der Absorption Schicht Dicke iwwer Gerätgeschwindegkeet a Quantum Effizienz ze léisen ass Wéckbrochwahlbuide. Dës Struktur sinn liicht aus der Säit, well Den Asticption Layer ass ganz laang kritt. Dofir ass dës Struktur, Léis d'verschiddenenen Testsatz ofgeschleet d'Dimmung vun der Dickonzecht ausgeglach, an ass effektiv bewäert an en héije quatitiséieren an héichwäerteg. De Prozess vum WG-APD ass méi einfach wéi déi vu RCE APD, wat eliminéiert déi komplizéiert Virbereedungsprozess vum DB Spigel eliminéiert. Dofir ass et méi machbar am praktesche Feld a passend fir allgemeng Flight optesch Verbindung.
3. Konklusioun
D'Entwécklung vun der BelaaschtungPhotoDotektorMaterial an Apparater gëtt iwwerschafft. D'Elignale Veraarbechtung an Louis Kriibs IFTERIEN VUN UP Materialer sinn no deenen deenen ualen aalen, déi bis duebel Kompetenzion vun der zweeer Tabrikiounen eropgerappt gëtt. Verglach mat reng Inalasmaterialien, ingaas (p) / Inhala an an (al) Gaas-Grasum hu vill Strukture staark geännert. Wat d'Struktur, d'Resonator verbessert (RCCM Strukturstruktur a Rand-kopplescht Waveguide Struktur (WG-Aduction) ginn d'Iwwerschwemmung vun den Absorptiounsgeschicht Duck duerch d'Komplexitéit vum Prozess, déi vollstänneg Aufgab vun dësen stäerkleche Strukture muss weider exploréiert ginn.
Postzäit: Nov-14-2023