Rof optesche Modulator 780nm elektrooptesche Phasenmodulator 10G EO Modulator

Kuerz Beschreiwung:

Den elektrooptesche Phasenmodulator vun der ROF-PM Serie 780nm Lithiumniobat benotzt fortgeschratt Protonenaustauschtechnologie, mat nidderegem Insertion-Verloscht, héijer Modulatiounsbandbreet, niddereger Hallefwellespannung an anere Charakteristiken, haaptsächlech a Weltraum-optesche Kommunikatiounssystemer, Cäsium-Atomzäitreferenz, Spektrumverbreederung, Interferometrie an anere Beräicher benotzt.

Schéckt eis eng E-Mail EROFLUEDEN

Produktdetailer

Rofea Optoelectronics bitt Produkter fir optesch a photonik Elektrooptesch Modulatoren un.

Produkt Tags

Fonktioun

Héich moduléierend Bandbreet

Niddreg Hallefwellespannung

Niddreg Insertion Verloscht

Elektrooptesche Modulator Phasenmodulator LiNbO3 Phasenmodulator LiNbO3 Modulator Low Vpi Phasenmodulator

Applikatioun

Optescht Kommunikatiounssystem am Weltraum

Cäsium Atomzäitreferenz

D'Spektralverbreedung

Interferometrie

Parameter

Parameter		Symbol		Min.	Typ	Max	Eenheet
Optesch Parameteren
BetribWellelängt		l		760	780	800	nm
Insertion Loss		IL			2,5	3	dB
Optesche Réckverloscht		ORL				-45	dB
Polarisatiouns-Aussterbungsverhältnis		PRO		20			dB
Optesch Faser	InputHafen			780nm PM-Faser (125/250μm)
	AusgabHafen			780nm PM-Faser (125/250μm)
Glasfaser-Interface				FC/PC, FC/APC oder Personnalisatioun
Elektresch Parameteren
BetribBandbreet(-3dB）			S₂₁	8	10		GHz
Hallefwellespannung @50KHz			V_Π		2.5	3	V
ElektreschalRéckgabverloscht			S₁₁		-12	-10	dB
Input-Impedanz			Z_RF	50			W
Elektresch Schnittstell				K(f)

Limitbedingungen

Parameter	Symbol	Eenheet	Min.	Typ	Max
Optesch Inputleistung @ 780nm	P_{an, Max}	dBm			13
IRF-Energieinput		dBm			33
BetribTemperatur	Uewen	℃	-10		60
Lagertemperatur	Test	℃	-40		85
Fiichtegkeet	RH	%	5		90

Charakteristesch Kurve

S11&S21 Kurve

Mechanescht Diagramm (mm)

R-PM-15-10G

R-PM-15-300M

Bestellungsinformatiounen

Rof

10G

Typ:

PM---Phasenmodulator

Wellelängt:

07---780nm

08---850nm

10---1060nm

13---1310nm

15---1550nm

Betribsbandbreet:

300M---300MHz

10G---10GHz

20G---20GHz

40G---40GHz

In-Out Fasertyp:

PP---Nomëttes/Nomëttes

PS---PM/SMF

SS---SMF/SMF

Opteschen Uschloss:

FA---FC/APC

FP---FC/PC

SP---Personaliséierung

* Kontaktéiert w.e.g. eise Verkaf, wann Dir speziell Ufuerderungen hutt.

Iwwer eis

Rofea Optoelectronics bitt eng Rei vu kommerzielle Produkter un, dorënner elektrooptesch Modulatoren, Phasenmodulatoren, Fotodetekteren, Laserquellen, DFB-Laseren, optesch Verstärker, EDFAs, SLD-Laseren, QPSK-Modulatioun, gepulste Laseren, Fotodetekteren, ausgeglach Fotodetekteren, Hallefleederlaseren, Lasertreiber, Faserkoppler, gepulste Laseren, Faserverstärker, optesch Leeschtungsmiesser, Breitbandlaseren, ofstëmmend Laseren, optesch Verzögerungsleitungen, elektrooptesch Modulatoren, optesch Detektoren, Laserdiodentreiber, Faserverstärker, Erbium-dotiert Faserverstärker a Laserliichtquellen.

Virdrun: Rof EOM Modulator 40GHz Phasenmodulator Dënnfilm Lithium Niobat Modulator

Weider: Rof Optesche Modulator 1064nm Niddereg-Vpi Phasenmodulator Elektrooptesche Modulator

Rofea Optoelectronics bitt eng Produktlinn vu kommerziellen elektrooptesche Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitéitsmodulatoren, Photodetekteren, Laserliichtquellen, DFB-Laseren, optesche Verstärker, EDFA, SLD-Laser, QPSK-Modulatioun, Pulslaser, Liichtdetektor, ausgeglachene Photodetektor, Lasertreiber, Glasfaserverstärker, optesche Leeschtungsmesser, Breitbandlaser, ofstëmmenden Laser, opteschen Detektor, Laserdiodentreiber, Glasfaserverstärker. Mir bidden och vill speziell Modulatoren fir d'Personaliséierung, wéi z. B. 1*4-Array-Phasenmodulatoren, ultra-niddrege Vpi- an ultra-héijen Extinktiounsverhältnismodulatoren, déi haaptsächlech an Universitéiten an Instituter benotzt ginn.
Hoffen, eis Produkter wäerten Iech an Ärer Fuerschung hëllefräich sinn.