Wiel vun ideale Laser Quell: Rand Emissioun shemicondportor Laser Deel een

Wiel vu idealAuslänner Source: Rand Emissioun semiconductors Laser
1. Aféierung
Semiconductors LaserChipsivië ginn am Beräich vun der Emissiounen opgedeelt. Verglach mat vertikalen Héchsthuelung vun der Laser, déi d'Laserbierger sinn (vc Laser Technie).Elektro-opticalVerroteneffizistent, grouss Kraaft an aner Virdeeler, ganz passt fir d'Laser op d'Contitéit an aner Feliksonnen. Fir de Moment, Gankdipinge vun hermineffektesche Klammen sinn e wichtegt Deel vun der Opméiglechkeet an hir Applimatiounen, Telekommunikatioun, de CSCIMMER, Wëssenschafts- a Spuren, d'Geschicht hunn Bekannt an de Konstruktioun vun der Dechnologie ass d'Muecht, d'Gemeng an Energieversversioun Assistenz vu Randkierper ginn an hir extensiv fir eng méi Extensiv a méi extensiv
Nächst, ech féieren Iech weider fir den eenzegaartege Charme vun Säit-Emittéiere ze schätzensemiconantuctor Laser.

Figur 1 (lénks) Säit empitéiere Semiconductors Laser an (riets) vertikal Kavitéit vun der Laser Struktur Diagramm

2. Erhuelung Prinzip vum Rand Emissioun semiconductorLaser
D'Struktur vum Rand-Emitting Semiconductikskase kann an déi folgend dräi Deeler opgedeelt ginn: hallefkommen aktiv Regioun, Pompelquell an Optikerquell an Optikator. Anescht aus de Resonateuren vu vertikale Kavitéit Uewerfläch-Emitting Laser (déi aus uewen an ënneschte Baggspigelen zesummekommen. D'Rezensiounsvirm vun optesch Filmer Den typesche Mailapparat Struktur gëtt a resonat Struktur op der Figur 2 ugewisen. De Phanton am Rand-Emissiouns-Emissiouns-Emefruction Favorique gëtt an de Modellementssapport an der Lason geformt. Rand-Emitting Semiconduction Laser Geräter hunn eng breet Palette vu Betrib Wellelängt a si gëeegent fir vill praktesch Uwendungen, sou datt se ee vun den ideale Kampfquelle.

D'Performance Bewäertung Indexen vum Rand-Emitting Semikonthors Laser sinn och konsequent mat anere semicoffuctorist Laser, dorënner: (1) Laser Laser Lase Lase Laserlängt; (2) Schwopp exakt (3) haitegt IOP, "ass et, mam Feldernelaapter paséiert de Verpandungsfeld. Dëse Standamuler gëtt dëse Paramellag op den Designalschlag fir den Design- a Modmmuruct vum Lasorine Opschafung, déi den aktuelle Wiest ugesater, gëtt de Stroum den aktuelle Vorpripmantmuecht ugesinn; dëse Paramel gëtt de Design an engem Gamular ugewandt. (4) Schréiegt Effizienz; (5) vertikal Divergenzwinkel θ⊥; (6) horizontal Divergenzwénkel θ∥; (7) Monitor den aktuellen IM, dat ass déi aktuell Gréisst vum semiconductor-Laser Chip an der Bewäerter Ausgab.

3. Fuerschung Fortschrëtter vu Gaas an GAN baséiert Rand Emitting Semikofistor Laser
De Semiconductor Laser baséiert op Gaas Semicondmaterial ass ee vun de meescht reife seniconenduction Laser Technologien. Am Moment, Gaa-baséiert no In-Infrarout Band (760-1060 NM) Rand-Emitting Semicander Laser ware méi wäit benotzt. Als drëtte Generatioun Semobile Material no Siash, den Sanan war staark an der wëssenschaftlecher Fuerschung a Geschicht fir d'Lotogras. Mat der Entwécklung vu Gan-baséiert opotelektroneschen Geräter an den Efforte vu Fuerscher, Gan-baséiert Liichtgeheescht Diosen a Rand-Emitting Laser ass industrialiséiert.