Wiel vun IdealLaser Quell: Rand EmissiounSemiconductor LaserZweeten Deel
4. Applikatioun Status vun Rand-Emissioun semiconductor Laser
Wéinst senger breet Wellelängtberäich an héijer Kraaft sinn Rand-emittéierend Hallefleitlaser erfollegräich a ville Beräicher wéi Automobil, optesch Kommunikatioun anLasermedezinesch Behandlung. No Yole Developpement, eng international renomméiert Maartfuerschungsagentur, wäert de Edge-to-Emit Laser Maart op $ 7.4 Milliarde am Joer 2027 wuessen, mat engem zesummegesate jährleche Wuesstumsrate vun 13%. Dëse Wuesstum wäert weider duerch optesch Kommunikatiounen gedriwwe ginn, wéi optesch Moduler, Verstärker, an 3D Sensing Uwendungen fir Datekommunikatioun an Telekommunikatioun. Fir verschidden Applikatioun Ufuerderunge, goufen verschidden EEL Struktur Design Schemaen an der Industrie entwéckelt, dorënner: Fabripero (FP) Halbleiterlaser, Distributed Bragg Reflector (DBR) Halbleiterlaser, extern Kavitéit Laser (ECL) Halbleiterlaser, verdeelt Feedback Halbleiter Laser (DFB Laser), Quante Kaskade Halbleiterlaser (QCL), a Breetfläche Laserdioden (BALD).
Mat der wuessender Nofro fir optesch Kommunikatioun, 3D Sensing Uwendungen an aner Felder ass d'Nofro fir Halbleiterlaser och erop. Zousätzlech, Rand-emittéierend Hallefleitlaser a vertikal-Kavitéit Uewerfläch-emittéierend Hallefleitlaser spillen och eng Roll fir d'Mängel vuneneen an opkomende Applikatiounen ze fëllen, sou wéi:
(1) Am Beräich vun der optescher Kommunikatioun ginn den 1550 nm InGaAsP/InP Distributed Feedback ((DFB Laser) EEL an 1300 nm InGaAsP/InGaP Fabry Pero EEL allgemeng benotzt bei Iwwerdroungsdistanz vun 2 km bis 40 km an Iwwerdroungsraten bis zu 40 Gbps Wéi och ëmmer, bei 60 m bis 300 m Iwwerdroungsdistanzen a méi nidderegen Iwwerdroungsgeschwindegkeet sinn VCsels baséiert op 850 nm InGaAs an AlGaAs dominant.
(2) Vertikal Kavitéit Uewerfläch-emittéierend Laser hunn d'Virdeeler vu klenger Gréisst a schmueler Wellelängt, sou datt se vill am Konsumentelektronikmaart benotzt goufen, an d'Helligkeit a Kraaftvirdeeler vu Rand emittéierend Hallefleit Laser de Wee fir Fernsensing Uwendungen an héich-Muecht Veraarbechtung.
(3) Béid Rand-emittéierend Hallefleit Laser a vertikal Kavitéit Uewerfläch-emittéierend Halbleiterlaser kënne fir kuerz - a mëttelfristeg LiDAR benotzt ginn fir spezifesch Uwendungen z'erreechen wéi Blannfleckenerkennung a Spuerentfernung.
5. Zukunft Entwécklung
De Rand emittéierend Hallefleit Laser huet d'Virdeeler vun héijer Zouverlässegkeet, Miniaturiséierung an héijer Liichtkraaftdicht, an huet breet Uwendungsperspektiven an optescher Kommunikatioun, LiDAR, medizinesch an aner Felder. Wéi och ëmmer, och wann de Fabrikatiounsprozess vu Rand-emittéierend Halbleiterlaser relativ reift ass, fir d'wuessend Nofro vun den industriellen a Konsumentemäert fir Rand-emittéierend Halbleiterlaser z'erreechen, ass et néideg d'Technologie, de Prozess, d'Performance an aner kontinuéierlech ze optimiséieren. Aspekter vun edge-emitting semiconductor Laser, dorënner: reduzéieren der Defekt Dicht bannent der wafer; reduzéieren Prozess Prozeduren; Entwéckelt nei Technologien fir d'traditionell Schleifrad a Klingenwafer Schneidprozesser ze ersetzen, déi ufälleg sinn fir Mängel aféieren; Optimiséiert d'epitaxial Struktur fir d'Effizienz vum Rand-emittéierende Laser ze verbesseren; Reduzéieren d'Fabrikatiounskäschte, etc. Zousätzlech, well d'Ausgangsliicht vum Rand-emittéierende Laser op der Säitrand vum Halbleiter-Laser-Chip ass, ass et schwéier fir kleng Chipverpackungen z'erreechen, sou datt de verbonne Verpackungsprozess nach ëmmer muss sinn weider duerchgebrach.
Post Zäit: Jan-22-2024