Wiel vun ideale Laser Quell: De Rand Emissioun Semicondportor Laser Deel zwee

Wiel vu idealAuslänner Source: Rand EmissiounSemiconductors LaserDeel du zwee

4. Applikatioun Status vun der Rand-Emissioun semiconduktor Laser
Wéinst senger breedene Wellelängtegelräg an héich Kraaft, Rand-Emitting Hallefineffizin Laser goufen erfollegräich a ville Felder benotzt wéi automotiv, optesch Kommunikatioun anLasermedizinesch Behandlung. No Ärem Ylepillpëtzt, eng tagesch Empfängeregungs-stesting Aaring Aentconect, de Rang-ze-den EVA festgestallte Staatschlag vun 1927, mat 20.27, mat 20.27, mat engem Cluffiteraaptte Vollek zréck ass. Dëse Wuesstber wäert nach weider duerch optikaler Kommeldungen gefestegt ginn, wéi Expsiv modifizéiert, Géigendruder, an 3D Sammelt Uestoratiounen an den Ueleghändienfuerderunge fir Gebonne vum Telecuneationatioun. Fir verschidden Applikatioun Ufuerderunge, verschidde Seelpräisser, déi an der Industrie-Separrisoristik leet (FP) Saser, verdeelte Braters, de Braggantor (DBGGTANCTRIBORT LASSER LASERS (ECLABELLEN, DIFFERIKE LASSERSE, DISPORTE SEISTER SEIFORTER LASSIKT LASSERS (Dfb Laser), Quante Cascade Semikaloforist Laser (QCL), a breet Regioun Laser Diode (Bald).

Mir finanzation als engfonzept fir opféierte Kommunikatioun, 3D sammelt d'Applikatioun an aner Felder, d'Fro ass fir d'Salmäder. Zousätzlech, Rand-emittéiert Semikondorist Laser a vertikal-Kavity Uewerfläch vuneneen, ageriicht.
(1) am Beräich vun optimentescher Kommunikatiounen, déi 1550 direkt) an de Sprosstmontinformation verdeelt ginn ((DFG Lase Lase Lasease) Hrauchts Mëttwoch) dominant.
(2) vertikal Kavitéit Uewerwandstands de Sensibilitéiten hunn d'Virschléi vu klenge Gréisst a mfardege Welleechelsstimmung.
(3) Béid Rand-Emittéiere Semikondorist Laser a vertikale Kavitéit Uewerfläch-Emitting Semicander Laser kënne fir kuerzer benotzt ginn - a mëttelgrousse Uwendung a Spuere

5. Zukunft Entwécklung
De Rand Iteming Halleffen-Restauranten Eilere hunn d'Virdeeler vu héich Verbindung, Minitéit, Medikamentbeschschiddenheeten am Kader aflimesch Kommunikatioun, anduerchschnëttlech Approche Debektiv am Optrinschaftsmatutsten. Wéi och ëmmer, obwuel d'Fabrikatioun vun der Rand-empfänkt Semiker, dorënner d'Verontreiung vun der Mëssbrauch vun der Widderhuelungsmänner fir d'Kantel ze optimiséieren. Reduzéieren Prozess Prozeduren; Entwéckelt nei Technologien fir den traditionelle Schleifen Rad a Blad Waferspiller ze ersetzen, déi ufälleg sinn, déi d'Mängel aféieren; Optimiséieren déi epiterialer Struktur fir d'Effizienz vum Rand-Emitting Laser ze verbesseren; Dofir reduzéieren d'Fabrice Käschten, asw. Zousätzlech, well den Ausputschléck vum Randdränker vum Rand op der Säit vum Hallefpratus kann nach ëmmer gebrach ginn.