Wiel vum IdealLaserquellKantemissiounHallefleiterlaserZweeten Deel
4. Applikatiounsstatus vu Kantemissiounshalbleiterlaser
Wéinst hirem breede Wellelängteberäich a senger héijer Leeschtung goufen Kantemittéierend Hallefleiterlaser erfollegräich a ville Beräicher wéi der Automobilindustrie, der optescher Kommunikatioun an ... agesat.Lasermedizinesch Behandlung. Laut Yole Developpement, enger international renomméierter Maartfuerschungsagentur, wäert de Maart fir Edge-to-Emit-Laser am Joer 2027 op 7,4 Milliarden Dollar wuessen, mat enger duerchschnëttlecher jäerlecher Wuestumsquote vun 13%. Dëst Wuestum gëtt weiderhin vun optescher Kommunikatioun ugedriwwen, wéi optesch Moduler, Verstärker an 3D-Sensoring-Applikatiounen fir Datenkommunikatioun an Telekommunikatioun. Fir verschidden Uwendungsufuerderungen goufen an der Industrie verschidden EEL-Strukturdesignschemae entwéckelt, dorënner: Fabripero (FP) Hallefleederlaser, Distributed Bragg Reflector (DBR) Hallefleederlaser, External Cavity Laser (ECL) Hallefleederlaser, verdeelt Feedback Hallefleederlaser (DFB-Laser), Quantekaskade-Hallefleederlaser (QCL) a Wide-Fläch-Laserdioden (BALD).
Mat der wuessender Nofro fir optesch Kommunikatioun, 3D-Sensoring-Applikatiounen an aner Beräicher klëmmt och d'Nofro fir Hallefleederlaser. Zousätzlech spille Kantemittéierend Hallefleederlaser a vertikal Kavitéitsflächemittéierend Hallefleederlaser och eng Roll fir géigesäiteg Nodeeler an neien Uwendungen auszefëllen, wéi zum Beispill:
(1) Am Beräich vun der optescher Kommunikatioun ginn den 1550 nm InGaAsP/InP Distributed Feedback (DFB Laser) EEL an den 1300 nm InGaAsP/InGaP Fabry Pero EEL dacks bei Iwwerdroungsdistanzen vun 2 km bis 40 km a bei Iwwerdroungsraten vu bis zu 40 Gbps benotzt. Bei Iwwerdroungsdistanzen vu 60 m bis 300 m a méi niddrege Iwwerdroungsvitesse sinn awer VCselen, déi op 850 nm InGaAs an AlGaAs baséieren, dominant.
(2) Vertikal Kavitéits-Uewerflächenemittéierend Laser hunn d'Virdeeler vun enger klenger Gréisst a schmueler Wellelängt, dofir gi se wäit verbreet um Maart fir Konsumentelektronik benotzt, an d'Hellegkeets- a Leeschtungsvirdeeler vu Kantemittéierende Hallefleederlaser maachen de Wee fräi fir Fernerkundungsapplikatiounen an héichleeschtungsfäeg Veraarbechtung.
(3) Souwuel Kantemittéierend Hallefleiterlaser wéi och Vertikalkavitéitsflächenemittéierend Hallefleiterlaser kënne fir LiDAR mat kuerzer a mëttlerer Reechwäit benotzt ginn, fir spezifesch Uwendungen z'erreechen, wéi z. B. d'Detektioun vu Blannflecken an d'Ofspuerung vun der Spuer.
5. Zukünfteg Entwécklung
De Kantemittende Hallefleiterlaser huet d'Virdeeler vun héijer Zouverlässegkeet, Miniaturiséierung an héijer Liichtleistungsdicht, an huet breet Uwendungsperspektiven an der optescher Kommunikatioun, LiDAR, Medizin an anere Beräicher. Obwuel de Fabrikatiounsprozess vu Kantemittende Hallefleiterlaser relativ reif ass, ass et néideg, fir der wuessender Nofro vun Industrie- a Konsumentemäert fir Kantemittende Hallefleiterlaser gerecht ze ginn, d'Technologie, de Prozess, d'Performance an aner Aspekter vu Kantemittende Hallefleiterlaser kontinuéierlech ze optimiséieren, dorënner: d'Defektdicht am Wafer ze reduzéieren; d'Prozessprozeduren ze reduzéieren; nei Technologien z'entwéckelen fir déi traditionell Schleifscheiwen- a Klingenwafer-Schneidprozesser ze ersetzen, déi ufälleg fir Defekter sinn; d'epitaxial Struktur ze optimiséieren fir d'Effizienz vum Kantemittende Laser ze verbesseren; d'Produktiounskäschten ze reduzéieren, etc. Zousätzlech, well d'Ausgangsliicht vum Kantemittende Laser um Säiterand vum Hallefleiterlaserchip ass, ass et schwéier eng kleng Chipverpackung z'erreechen, sou datt de verbonne Verpackungsprozess nach weider duerchbrach muss ginn.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 22. Januar 2024