Héich performant ultrafast wafer Laser Technologie

Héich performant ultraschnell WaferLaser Technologie
Héich-Muechtultraschnell Lasergi wäit an fortgeschratt Fabrikatioun, Informatioun, Mikroelektronik, Biomedizin, national Verteidegung a militäresch Felder benotzt, an relevant wëssenschaftlech Fuerschung ass vital fir national wëssenschaftlech an technologesch Innovatioun a qualitativ héichwäerteg Entwécklung ze förderen. Dënn-SliceLaser Systemmat senge Virdeeler vun héich Moyenne Muecht, grouss Pulsatiounsperiod Energie an excellent hëlze Qualitéit huet grouss Nofro an Attosecond Physik, Material Veraarbechtung an aner wëssenschaftlech an industriell Beräicher, an huet vill vun Länner ganzer Welt besuergt ginn.
Viru kuerzem huet e Fuerschungsteam a China selbstentwéckelt Wafermodul a regenerativ Verstäerkungstechnologie benotzt fir High-Performance (héich Stabilitéit, héich Kraaft, Héichstrahlqualitéit, héich Effizienz) ultra-schnell Wafer z'erreechenLaserAusgang. Duerch den Design vun der Regeneratiounsverstärker Kavitéit an d'Kontroll vun der Uewerflächentemperatur an der mechanescher Stabilitéit vum Disc-Kristall an der Kavitéit, gëtt d'Laserausgang vun der eenzeger Pulsenergie> 300 μJ, Pulsbreet <7 ps, duerchschnëttlech Kraaft> 150 W erreecht , an déi héchste Liicht-zu-Liicht Konversiounseffizienz kann 61% erreechen, wat och déi héchst optesch Konversiounseffizienz ass, déi bis elo gemellt gëtt. De Strahlqualitéitsfaktor M2 <1.06 @ 150W, 8h Stabilitéit RMS <0.33%, dës Erreeche markéiert e wichtege Fortschrëtt am High-Performance ultrafast Wafer Laser, wat méi Méiglechkeeten fir High-Power ultrafast Laser Uwendungen ubitt.

Héich Widderhuelungsfrequenz, High Power Wafer Regeneratiounsverstärkungssystem
D'Struktur vun der wafer Laser amplifier ass an der Figur gewisen 1. Et enthält eng Léngen Som Quell, eng dënn Slice Laser Kapp an engem regenerative amplifier Kavitéit. En ytterbium-dotéierte Faser Oszillator mat enger Duerchschnëttskraaft vu 15 mW, enger zentraler Wellelängt vun 1030 nm, enger Pulsbreet vu 7,1 ps an enger Widderhuelungsquote vun 30 MHz gouf als Somquell benotzt. De Wafer Laser Kapp benotzt en hausgemaachte Yb: YAG Kristall mat engem Duerchmiesser vun 8,8 mm an enger Dicke vun 150 µm an engem 48-Schlag Pompelsystem. D'Pompelquell benotzt eng Null-Phonon-Linn LD mat enger 969 nm Sperrwellelängt, wat de Quantendefekt op 5,8% reduzéiert. Déi eenzegaarteg Kältestruktur kann de Waferkristall effektiv killen an d'Stabilitéit vun der Erhuelungskavitéit garantéieren. D'regenerativ Verstäerkung Kavitéit besteet aus Pockels Zellen (PC), Dënn Film Polarisatoren (TFP), Quarter-Wave Placke (QWP) an engem héich-Stabilitéit resonator. Isolatore gi benotzt fir verstäerkte Liicht ze verhënneren datt d'Somenquell ëmgedréint beschiedegt gëtt. Eng Isolatorstruktur besteet aus TFP1, Rotator an Half-Wave Platen (HWP) gëtt benotzt fir Input Somen a verstäerkte Impulser ze isoléieren. De Somimpuls geet an d'Regeneratiounsverstärkungskammer iwwer TFP2. Barium metaborate (BBO) Kristalle, PC, a QWP kombinéiere fir en opteschen Schalter ze bilden deen eng periodesch Héichspannung op de PC applizéiert fir selektiv de Som Puls z'erfaassen an et an der Kavitéit ze propagéieren. De gewënschten Puls oszilléiert an der Huelraim a gëtt effektiv während der Roundtrip Ausbreedung verstäerkt andeems d'Kompressiounsperiod vun der Këscht fein ugepasst gëtt.
De Wafer Regeneratiounsverstärker weist gutt Ausgangsleistung a wäert eng wichteg Roll an High-End Fabrikatiounsfelder wéi extrem ultraviolet Lithographie, Attosecond Pompelquell, 3C Elektronik, an nei Energieautoen spillen. Zur selwechter Zäit gëtt erwaart datt d'Wafer-Laser-Technologie fir grouss supermächteg applizéiert gëttLaser Apparater, déi en neit experimentell Mëttel fir d'Bildung a fein Detektioun vun der Matière op der Nanoskala Raumskala a Femtosekonn Zäitskala ubitt. Mam Zil fir déi grouss Bedierfnesser vum Land ze déngen, wäert de Projet Team weider op Laser Technologie Innovatioun konzentréieren, weider duerch d'Virbereedung vu strategesche High-Power Laserkristaller duerchbriechen, an effektiv d'onofhängeg Fuerschungs- an Entwécklungsfäegkeet vu Laser-Apparater verbesseren. d'Beräicher vun Informatioun, Energie, High-End Ausrüstung a sou weider.