Aféierung an de Rand Emitting Laser (Eel)
Fir den Héichpunkter Semikonducturctors Laser Output ze kréien, ass déi aktuell Technologie fir d'Rand Emissiounsruktur ze benotzen. De Resonateur vum Rand-emittener semesche Waser ass aus der natierlecher Dismaishare Uewerfläch vun der Hallefprépséiergank gemaach ginn, an den Ausgangssystem à-vis
Déi folgend Diagramm weist d'Struktur vum Rand-empiting Semiconducturs Laser. D'optesch Kavitéit vum Eel ass parallel op d'Uewerfläch vum semiconductor Chip an trefft Laser um Rand vum semicellisteschen Ausgang mat héijer Geschwindegkeet. Trotzdem ass de Laser aus dem Allentrëpper.
D'Erhéijung vun der Eelputputkraaft ass limitéiert duerch Offalldauer Akkumulation an der aktiver Regioun an optesche Schued op der Semikandist Uewerfläch. Andeems Dir d'Wellenbuergungsgebitt eropgeet fir d'Offalldauer Akkumulatioun an der aktiver Regioun ze reduzéieren fir d'Hëtzt Ausgab ze reduzéieren, déi optesch Kraaft Dicht vun der Stiermung vun der Bunnen ze vermeiden
Fir den 100mm Waveguide, en eenzegen Rand vun engem COMPADER KUNDER TOPPING SYPPROTEN. Awer zu dësem Moment erreecht d'Wellenhus am Chip
Op der Viraussetzung datt et keen neien Duerchbroch an der materieller Technologie an dephaxial Wuesstechnologie ass, fir d'Ausgabe vun der Chipstruktioun vun der Chipstruktor. Entsuergung erhéijen d'Stappositioun net einfach mat der Sträif einfach ze produzéieren, datt d'Outpill-Modus eropleeent ass, wat limitéiert ass Fir d'Outputkraaft ze verbesseren, ass d'Array Technologie kënnt an ze sinn. D'Technologie integréiert eng kleng Lagen, déi den selwechten aferte Lüsteren opmaacht, kënnt Dir d'Occasiounsmuecht vum ganze Chip vun der integréierter Emissioun tëscht dem integréierter Helzeger Arrêzbesëtzer a lues ofdrécken Unitéiten. Dëse semicoundurt Laser Chip ass e semiconductions Laser Array (LDA) Chip, och bekannt als Semikhoulands Laser Laser Laser Laser Laser Laser Laser Laser Laser Laser Laser Laser Laser Laser Laser Laser Laser Laser
Postzäit: Jun-03-2024