Aféierung an de Kantemittende Laser (EEL)

Aféierung an de Kantemittende Laser (EEL)
Fir eng héichleeschtungsfäeg Hallefleiterlaserausgang ze kréien, benotzt déi aktuell Technologie d'Kantemissiounsstruktur. De Resonator vum Kantemissiouns-Hallefleiterlaser besteet aus der natierlecher Dissoziatiounsfläch vum Hallefleiterkristall, an den Ausgangsstral gëtt vum viischten Enn vum Laser ausgestraalt. De Kantemissiouns-Hallefleiterlaser kann eng héich Leeschtung erreechen, awer säin Ausgangspunkt ass elliptesch, d'Stralqualitéit ass schlecht, an d'Stralform muss mat engem Straleformungssystem modifizéiert ginn.
Déi folgend Diagramm weist d'Struktur vum Kantemittenden Hallefleiterlaser. D'optesch Kavitéit vum EEL ass parallel zur Uewerfläch vum Hallefleiterchip a straalt Laser um Rand vum Hallefleiterchip aus, wat d'Laserausgab mat héijer Leeschtung, héijer Geschwindegkeet a geréngem Geräisch realiséiere kann. Wéi och ëmmer, huet de Laserstralausgab vum EEL allgemeng en asymmetresche Stralquerschnitt an eng grouss Winkeldivergenz, an d'Kopplungseffizienz mat Glasfaser oder aner optesche Komponenten ass niddreg.

D'Erhéijung vun der EEL-Ausgangsleistung gëtt duerch d'Ofwärmeakkumulatioun am aktive Beräich an optesche Schued op der Hallefleederuewerfläch limitéiert. Duerch d'Erhéijung vun der Wellenleiterfläch fir d'Ofwärmeakkumulatioun am aktive Beräich ze reduzéieren an d'Hëtztofleedung ze verbesseren, an d'Erhéijung vun der Liichtausgangsfläch fir d'optesch Leeschtungsdicht vum Stral ze reduzéieren an optesch Schued ze vermeiden, kann eng Ausgangsleistung vu bis zu e puer honnert Milliwatt an der Single-Transversal-Modus-Wellenleiterstruktur erreecht ginn.
Fir de 100mm-Wellenleiter kann e Laser mat engem eenzege Kantemittenten Zéngdausende vu Watt Ausgangsleistung erreechen, awer zu dësem Zäitpunkt ass de Wellenleiter staark Multimodi op der Fläch vum Chip, an d'Aspektverhältnis vum Ausgangsstral erreecht och 100:1, wat e komplexes Straleformungssystem erfuerdert.
Ënner der Viraussetzung, datt et keen neien Duerchbroch an der Materialtechnologie an der epitaktischer Wuesstechnologie gëtt, ass den Haaptwee fir d'Ausgangsleistung vun engem eenzege Hallefleiterlaserchip ze verbesseren, d'Streifenbreet vum Liichtberäich vum Chip ze erhéijen. Wann d'Streifenbreet awer ze héich erhéicht gëtt, kann et einfach zu transversalen Héichuerdnungs-Modusoszillatiounen a filamentähnleche Schwéngungen féieren, wat d'Uniformitéit vun der Liichtausgab staark reduzéiert, an d'Ausgangsleistung net proportional mat der Sträifenbreet eropgeet, sou datt d'Ausgangsleistung vun engem eenzege Chip extrem limitéiert ass. Fir d'Ausgangsleistung staark ze verbesseren, gouf d'Array-Technologie entwéckelt. D'Technologie integréiert verschidde Lasereenheeten um selwechte Substrat, sou datt all Liichtemissiounseenheet als eendimensional Array an der lueser Achsrichtung ausgeriicht ass. Soulaang d'optesch Isolatiounstechnologie all Liichtemissiounseenheet am Array trennt, sou datt se net mateneen stéieren an eng Multi-Apertur-Laséierung bilden. Duerch d'Erhéijung vun der Zuel vun den integréierte Liichtemissiounseenheeten kann d'Ausgangsleistung vum ganze Chip erhéicht ginn. Dëse Hallefleiterlaserchip ass e Hallefleiterlaser-Array (LDA)-Chip, och bekannt als Hallefleiterlaserbar.