Aféierung an Edge Emitting Laser (EEL)

Aféierung an Edge Emitting Laser (EEL)
Fir High-Power Halbleiter Laseroutput ze kréien, ass déi aktuell Technologie d'Rand Emissiounsstruktur ze benotzen. De Resonator vum Rand-emittéierende Halbleiterlaser besteet aus der natierlecher Dissoziatiounsfläch vum Halbleiterkristall, an den Ausgangsstrahl gëtt aus dem Frontend vum Laser emittéiert. Ausgangspunkt ass elliptesch, d'Strahlequalitéit ass schlecht, an d'Strahlenform muss mat engem Strahlformsystem geännert ginn.
Déi folgend Diagramm weist d'Struktur vum Randemitterende Halbleiterlaser. D'optesch Kavitéit vun EEL ass parallel zu der Uewerfläch vun der semiconductor Chip an emittéiert Laser um Rand vun der semiconductor Chip, déi de Laser Wasserstoff mat héijer Muecht, héich Vitesse an niddereg Kaméidi realiséieren kann. Wéi och ëmmer, d'Laserstrahlausgang vun EEL huet allgemeng asymmetresch Strahl-Querschnitt a grouss Wénkeldivergenz, an d'Kupplungseffizienz mat Glasfaser oder aner optesch Komponenten ass niddereg.


D'Erhéijung vun der EEL Ausgangskraaft ass limitéiert duerch Offallwärmeakkumulatioun an der aktiver Regioun an opteschen Schued op Hallefleitoberfläche. Duerch d'Erhéijung vun der Welleleitgebitt fir d'Offallhëtzakkumulatioun an der aktiver Regioun ze reduzéieren fir d'Hëtztvergëftung ze verbesseren, d'Luuchtausgangsberäich ze erhéijen fir d'optesch Kraaftdicht vum Strahl ze reduzéieren fir optesch Schued ze vermeiden, kann d'Ausgangskraaft vu bis zu e puer honnert Milliwatt an der Single transversal Modus Waveguide Struktur erreecht ginn.
Fir den 100mm Welleguide kann en eenzege Randemittéierend Laser Zénger vu Watt Ausgangskraaft erreechen, awer zu dëser Zäit ass de Welleguide héich Multi-Modus um Fliger vum Chip, an den Ausgangsstrahl Aspekt Verhältnis erreecht och 100: 1, erfuerdert e komplexe Strahlformungssystem.
Op der Viraussetzung datt et keen neien Duerchbroch an der Materialtechnologie an der Epitaxialwachstumstechnologie gëtt, ass den Haapt Wee fir d'Ausgangskraaft vun engem eenzegen Halbleiter-Laser-Chip ze verbesseren, d'Sträifbreet vun der luminéiser Regioun vum Chip ze erhéijen. Wéi och ëmmer, d'Erhéijung vun der Sträifbreet ze héich ass einfach transversal High-Order Modus Schwéngung a filamentähnlech Schwéngung ze produzéieren, wat d'Uniformitéit vum Liichtoutput staark reduzéiert, an d'Ausgabkraaft erhéicht net proportional mat der Sträifbreet, sou datt d'Ausgangskraaft vun engem eenzege Chip ass extrem limitéiert. Fir d'Ausgangskraaft staark ze verbesseren, gëtt d'Array Technologie entstanen. D'Technologie integréiert verschidde Laser-Eenheeten um selwechte Substrat, sou datt all Liichtemittéierend Eenheet als eendimensional Array an der lueser Achsrichtung opgeriicht ass, soulaang déi optesch Isolatiounstechnologie benotzt gëtt fir all Liichtemittéierend Eenheet an der Array ze trennen. , sou datt se net mateneen stéieren, eng Multi-Apertur-Lasing bilden, kënnt Dir d'Ausgangskraaft vum ganzen Chip erhéijen andeems d'Zuel vun den integréierte Liichtemittenten eropgeet. Dësen Halbleiter Laser Chip ass en Halbleiter Laser Array (LDA) Chip, och bekannt als Halbleiter Laser Bar.


Post Zäit: Jun-03-2024