Aféierung an vertikale Kavitéit Uewerfläch empiting Semikondrantor Laser (vcel)

Aféierung an vertikale Kavitéit Uewerfläch emittéiertsemiconductors Laser(Vcel)
Vertikal extern Kavitéit Uewerfläch-Emitting Laser goufen an der Mëtt-9,40er entwéckelt fir e Schlësselprobleem ze iwwerwannen, déi d'Entwécklung vun traditionelle Semicocuntoriuction Laser-Power-Madders-Mehlermodut an Noutliichter an Noutläffele mat héijer Iwwerbezuelen
Vertikale extern Kuelestoff Uewerfläch vun Laser (Vebbelen), och bekannt alssemiconductor Disc Laser(SDL), sinn e relativ neie Member vun der Laser Famill. Et kann d'Emissiounswellen ausdrécken, andeems en net d'Materialhenverpositioun ersetzt an d'Diffänkwénkel vun der Quantitéite symmetresche Lase, a kombinéiert eng terraschend Frequeten, déi d'Introvitéitsgrenzen aus der Uwendung vum ultraviet kann erkläert ginn, déi d'Emissiounswellen ervirhiewt ginn, andeems en eng niddregem Décke vum Quante-Cirmular symmetresche Lase Calsrequisitiounsgräife kënnt. De Laser Resonator besteet aus der ënneschter DBB Struktur vum Gewënn Chip an den externen Ausgangskoup Spigel. Dësen eenzegaartegen externen Resonator Struktur erlaabt optesch Elementer fir Operatiounen fir Operatiounen ze agebaute wéi d'Frequenzen, deen zweifelt, Frequenz Differenz ass en idealeAuslänner Sourcefir Applikatioune rangéiert aus biophonesche, spektroskopie,laser Medizin, a Laser Projektioun.
Den Optrager vum VC-Uewerfläch emitzing Hallefinuite Waser ass svsikuléiert am Flippfierz, a seng Ausgabe vum Rettungsflächekutwert a Gaart, souwéi den aktiven Bestëmmung vum Resoluter vun der VC-Uewerfläch entschëllegt Halleffeffizis LASER am Fligelwierzsaatlech, a säin Ausgab ass substitut, a relastesch Rechter gemaach, wéi eng Plaz gewisen gëtt. Et weist exzellent Leeschtung an den Uwendungen vun der Laser Display, Optical Kommunikatioun an optescher Auer. Déi ënner demozoconne Longen iwwert d'Héichkraaft eropzegoen, sou datt se net a Felder mat engem héije Power ukommen.

De Laser Resonator vum Vcel besteet aus engem verdeelte Braggantor (DBB) zesummegesat aus dem Smitaxial Struktur vun der Hallefintermaterial op der ieweschter Säit vun der ieweschter Säit vun derLaserResonator zesummegesat aus Spaltfliger an der Anert Richtung vum VMel setzt een optikeschen Resitator an der Chipfläche, de Laser Outcier
D'Längt vum Laser Receonatratioun ass an der Grënn vun der Heelung a vun engem geschéckt. Obwuel de fundamentale transverséiert Moderulautput kann, d'Ausgab Kraaft erreechen kënnen nëmmen e puer Milliwatte erreechen. De Cross-Sektiounsprofil vum Vcsel Ausgang Laser Bream ass kreesfërmeg, an den Divergenzwénkel ass vill méi kleng wéi dee vum Rand-Emitting Laser Laser Laser. Fir méi héich Muecht vun der VBSEL z'erreechen, ass et néideg d'se vum Plang ze erhéijen ze ginn, an d'Erhéijung vun der hal-Modler ze ginn. Zur selwechter Zäit kann et schwéier hunn, kreativen installéieren an enger grousser Regioun ze erreechen, an déi onvollstänneg aktuell Injektioun huet.