OPTOEELECTONYIntegratioun Method
D'Integratioun vunPhotonikeran Elektronik ass e Schlëssel Schrëtt fir d'Fäegkeeten vun Informatiounsveraarbechtungsystemer ze verbesseren, séier eng méi séier Taupartementsquetten, ofschléissen a méi Schlussverfëllung Steet Zoustëmmitéit nëmmekter Gesetzer dacks an zwou Kategorien opgedigt: mortelithesch Integratioun an d'Im-Chip Integratioun.
Monolithesch Integratioun
Monnolithesch Integratioun enthält afotikesch an elektronesch Komponenten um selwesche Substementéiert, normalerweis benotzt kompatibel Material a Prozesser. Dës Approhans entscheet Iech e Goalleechtschoulen tëscht Liicht an Elektriziplinechten an engem eenzegen Tal zou ze kreéieren.
Virdeeler:
1. Reduzéiert vun Interconnection
2, Verbiedegt Leeschtung: emkrikter Intileratioun kënnen zu méi groussen Donnéeën Transfergeschdréck féieren wéinst méi kuerz Sektiounsplase a reduzéierter Sendung a reduzéierend se secesia Plage.
3, all Gréisst: Villolahitheschen Integratioun erlaabt, déi besonnesch gerechtfelzeger Apparater mécht.
4, Reduzéiert Kraaftverbrauch: eliminéiert d'Bedierfnesser fir separat Stéckstécker a laangstranzcontéiert, déi bedeitend Stroumsfuerderunge kënne verschwenden.
Erausfuerderung:
1) Material Ëmwelt: Fannt Materialien déi béid héichwäerteg Elektronen a polonesch Funktiounen ënnerstëtzen well se dacks verschidde Eegeschafte erfuerderen.
2, Prozess Kompatibilitéit: D'Diversen Haferbezqude vun Elektronik an Photonen op der selwechter Substrat sinn ouni d'Leeschtung vun all Komponent ass eng komplex Aufgab.
4, komplexer Fabrikatioun: Déi héich Präzisioun erfuerderlech fir elektronesch an perphonesch Strukturen erhéicht d'Komplexitéit an d'Käschte vun der Fabrikatioun.
Multi-Chip Integratioun
Dës Fokusurë fiert ausservoll Flexibilitéit fir Material a Promissiounen fir all Funktioun. An dësem Integratioun vum Elektronen a Phounesch Komponente gouf aus verschiddene Prozesser a versammelt mat zesumme) an ass e gemeinsame Package 1). Lo liwwert et Messagen tëscht opschléiesch-Chips. An direkt Banneneste: dës Verzechnen ëm den direkte Kierperem Supporter a Bond vun zwee Planz vun der klorise Basswandelen, déi mat kluer méi no kollkulant Grenzen, asetzen. Et huet de Virdeel vun der Einfachheet a potenziell ganz niddereg Verloschtverbindungen, awer erfuerdert präzis a propper Surfacen erfuerdert. Faser / Kupplungskupplung: an dësem Schema, d'Fiber oder Faser Array gëtt ausgeriicht a gebonnen an de Rand oder der Uewerfläch vum Photonesche Chip, erlaabt d'Liicht geklaut ze ginn an an aus dem Chip. Cala kann och fir d'Wertzilung benotzt ginn, d'Effizienz ëm d'Effizienz ze verbesseren tëscht dem Liicht tëscht dem Topstrooss an den externen Fip. Duerch-silicon Lächer (Tsvs) a Mikro-Bumps: duerch-Silicon Lächer sinn vertikal Interkonistiken duerch e Silicon, erlaabt d'Chips ze stackéieren. Kombinéiert mat Mikro-konvex Punkten, hunn se elektroneschem a aphonespliminatiounen tëscht Kaddo ze erreechen. OPTICAL INDRESSIOR LAYER: Déi optesch Tëschenzäit Schicht ass eng getrennte Substrat, déi optesch Wavegaguides déngen, als Tëschestatiounen als Tëschestatioun fir Route fir Route op Routereisschiper. Et erlaabt eng präzis Ausrichtung an zousätzlech passivoptesch Komponentenkann fir eng erhéicht Verbindung Flexibilitéit integréiert ginn. Hybrid Bonding: Dëst fortgeschratt Bonding Technologie kombinéiert Direct Bonding an Micro-Bump-Pompel Technologie fir Naturaliséierungen tëscht Chipizen tëscht Chipen tëscht Chipen tëscht Chipen tëscht Chipen tëscht Chipen tëscht Chipen tëscht Chipen an héichwäerteg Stipen. Et ass besonnesch verspriechend fir héich Leeschtung Optoelelektronesch Ko-Integratioun. Solder Bump Bonding: Ähnlech fir flip Chip Bonding, Solder Bumps gi benotzt fir elektresch Verbindungen ze kreéieren. Wéi och am Model Intetientonidentescher Integratioun gëtt, besonnesch oppent oppassen fir Schued un Photosigent Kompetenzen ze vermeiden.
Bild 1 :: Elektron / Phaton Chip-to-Chip Bonding Schema
D'Virdeeler vun dësen Approche sammelen. Well photoniker brauch allgemeng d'Fabrikatioun vu ganz klenge Strukturen (Schlësselgréissten vun ongeféier 100 Nanometer sinn typesch) an Apparater, déi am Verglach vu wirtschaftleche Considéen dréien, wirtschaftlech Geräter, signéiert d'Photoniker verlaangen allgemeng net fir d'Finale Produit vun ongeféier 100 Nanometer) an Apparater, getrennte ginn
Virdeeler:
Flexibilibilitéit: Verschidde Materialater a Proziséiere kënnen onofhängeg benotzt gi fir déi bescht Erlaabnis vu méi en ofgelonesche Komponten ze erreechen.
2, Provuritéit mat der Verëffentlechung: d'Benotzung vun entsuergen Prozesser fir all véiergëttproduktioun kann d'Produktioun vereinfachen a Käschten reduzéieren.
3, méi einfach Upgrade an Ënnerhalt: d'Trennung vu Komponenten erlaabt eenzel Komponenten ze ersetze ginn oder einfach ouni säi ganze System ze verhënneren.
Erausfuerderung:
1, Interkonomessverloscht: D'Off-Chipverbindung stellt zousätzlech Signalverloscht vir a ka komplexer Ausrüstungsprozeduren erfuerderen.
2, verletze Komplexitéit a Gréisst: Persouneien déi zousätzlech Verpikementer erfuerdere gëtt, fréierlech méi héich Klick.
3, méi héich Kraaftverbrauch: Méi laang Signal Weeër an zousätzlech Verpackung kann d'Kraaftnuecht ofgeschloss erhéijen am Verglach zu Monolitescher Integratioun verglach.
Conclusioun:
Lëscht duerch Monnolitheschen a multipolite Integratioun ofstoptioun hänkt dovun ofhängeg vun Uwendungsfuerderunge, Projet, Gréisst, Gréisst Kontrakter, an Technezitratiounen, an Dechnologesch Och wéinst Formatioun, nach ze verbesseren, alsovalitesch Integratiounung fir Appinatiounen déi extreminitiatiounen erfuerderen, gëtt bis niddereg-Geschwellungsdréckung, an Héichvermeedung, a moderatore Donnéeën ze kréien. Amplaz woui-chip Enriatiounopratioun bitt gréisser Design Featibilitéitsstudderungen, déi se passend fir d'Appliken vun den Apparater Wéi Fuerschungsprozess zerstinn, hybrideringen, déi kombinéierener Elementer auszenotzen déi och extrasptéiert ginn fir d'Erausfuerderung ze presentéieren wärend Dir d'Erausfuerderung ass fir d'Erausfuerderung
Postzäit: Jul-08-2024