Photoelektresch Detektiounstechnologie detailléiert Deel vun ONE

Deel vun EEN

1, d'Detektioun geschitt op eng bestëmmte physikalesch Manéier, fir d'Zuel vun de gemoossene Parameteren ze ënnerscheeden, déi zu engem bestëmmte Beräich gehéieren, fir ze bestëmmen, ob déi gemoossene Parameteren qualifizéiert sinn oder ob d'Zuel vun de Parameteren existéiert. De Prozess vum Vergläich vun der onbekannter gemoossener Quantitéit mat der Standardquantitéit vun der selwechter Natur, der Bestëmmung vum Multiple vun der Standardquantitéit, déi vum gemoossene Team gemooss gouf, an der Ausdréckung vun dësem Multiple numeresch.
Am Beräich vun der Automatiséierung an der Detektioun ass d'Aufgab vun der Detektioun net nëmmen d'Inspektioun an d'Miessung vu fäerdege Produkter oder Halleffäerdeg Produkter, mä och fir e Produktiounsprozess oder e bewegend Objet z'inspektéieren, ze iwwerwaachen an ze kontrolléieren, fir en an de beschten Zoustand ze bréngen, deen vun de Leit gewielt gëtt, ass et néideg, d'Gréisst an d'Ännerung vu verschiddene Parameteren zu all Moment z'entdecken an ze moossen. Dës Technologie vun der Echtzäitdetektioun a Miessung vum Produktiounsprozess a bewegenden Objeten gëtt och Ingenieursinspektiounstechnologie genannt.
Et ginn zwou Zorte vu Miessungen: direkt Miessung an indirekt Miessung
Direkt Miessung ass d'Miessung vum gemoossene Wäert vum Meterstand ouni Berechnung, wéi zum Beispill: d'Benotzung vun engem Thermometer fir d'Temperatur ze moossen, d'Benotzung vun engem Multimeter fir d'Spannung ze moossen
Indirekt Miessung ass d'Miessung vu verschiddene physikalesche Gréissten, déi mat der Miessung zesummenhänken, an d'Berechnung vum gemoossene Wäert duerch déi funktionell Bezéiung. Zum Beispill ass d'Leeschtung P mat der Spannung V an dem Stroum I verbonnen, dat heescht P=VI, an d'Leeschtung gëtt berechent andeems d'Spannung an de Stroum gemooss ginn.
Direkt Miessung ass einfach a praktesch a gëtt dacks an der Praxis benotzt. Awer a Fäll wou direkt Miessung net méiglech ass, direkt Miessung onpraktesch ass oder den direkten Miessfehler grouss ass, kann indirekt Miessung benotzt ginn.
De Konzept vum photoelektresche Sensor a Sensor
D'Funktioun vum Sensor ass et, déi net-elektresch Quantitéit an déi elektresch Quantitéitsausgab ëmzewandelen, mat där et eng kloer entspriechend Bezéiung gëtt, déi am Fong d'Grenzfläche tëscht dem net-elektresche Quantitéitssystem an dem elektresche Quantitéitssystem ass. Am Prozess vun der Detektioun a Kontroll ass de Sensor en essentiellt Ëmwandlungsapparat. Aus Energiesiicht kann de Sensor an zwou Zorten opgedeelt ginn: eng ass den Energiekontrollsensor, och bekannt als aktiven Sensor; déi aner ass den Energiekonversiounssensor, och bekannt als passive Sensor. Den Energiekontrollsensor bezitt sech op de Sensor, deen an d'Transformatioun vun elektresche Parameteren (wéi Widderstand, Kapazitéit) gemooss gëtt. De Sensor muss eng anergend Stroumversuergung derbäisetzen, fir d'Parameterännerungen a Spannung an de Stroum ze moossen. Den Energiekonversiounssensor kann déi gemoossen Ännerung direkt an eng Ännerung vun der Spannung an dem Stroum ëmwandelen, ouni extern Anregungsquell.
A ville Fäll ass déi net-elektresch Quantitéit, déi gemooss soll ginn, net déi Zort vun net-elektrescher Quantitéit, déi de Sensor ëmwandele kann, wat et erfuerdert, en Apparat oder en Apparat virum Sensor ze setzen, deen déi gemoossen net-elektresch Quantitéit an déi net-elektresch Quantitéit ëmwandele kann, déi de Sensor empfänke a ëmwandele kann. De Komponent oder den Apparat, deen déi gemoossen Net-Elektrizitéit an verfügbaren Elektrizitéit ëmwandele kann, ass e Sensor. Zum Beispill, wann d'Spannung mat engem Widderstandsdehnungsmessgerät gemooss gëtt, ass et néideg, d'Dehnungsmessgerät un den elasteschen Element vum Verkafsdrock ze befestegen, den elasteschen Element ëmwandelt den Drock an eng Dehnungskraaft, an d'Dehnungsmessgerät ëmwandelt d'Dehnungskraaft an eng Ännerung vum Widderstand. Hei ass d'Dehnungsmessgerät de Sensor, an den elasteschen Element ass de Sensor. Souwuel de Sensor wéi och de Sensor kënnen déi gemoossen Net-Elektrizitéit zu all Moment ëmwandelen, awer de Sensor ëmwandelt déi gemoossen Net-Elektrizitéit an verfügbar Net-Elektrizitéit, an de Sensor ëmwandelt déi gemoossen Net-Elektrizitéit an Elektrizitéit.

微信图片_20230717144416
2, photoelektrische SensorBaséiert op dem photoelektreschen Effekt, wouduerch d'Liichtsignal an en elektresche Signalsensor ëmgewandelt gëtt, gëtt et wäit verbreet an der automatescher Kontroll, der Loftfaart, dem Radio an dem Fernsee an anere Beräicher.
Zu de Photoelektresche Sensore gehéieren haaptsächlech Photodioden, Phototransistoren, Photowidderstänn (Cd), Photokoppler, ierflech photoelektresch Sensoren, Fotozellen a Bildsensoren. Eng Tabelle vun den Haaptarten ass an der Figur hei ënnendrënner gewisen. An der praktescher Uwendung ass et néideg, de passenden Sensor ze wielen, fir den erwënschten Effekt z'erreechen. De generelle Selektiounsprinzip ass:Héichgeschwindegkeets-photoelektresch DetektiounCircuit, breet Palette vun Illuminanzmesser, Ultra-High-Speed-Lasersensor sollten eng Photodiod wielen; De einfache Puls-photoelektresche Sensor vun e puer dausend Hertz an de Low-Speed-Puls-photoelektresche Schalter am einfache Circuit sollten de Phototransistor wielen; Och wann d'Äntwertgeschwindegkeet lues ass, de Widderstandsbrécksensor mat gudder Leeschtung an de photoelektresche Sensor mat Widderstandseigenschaften, de photoelektresche Sensor am automatesche Beliichtungskrees vun der Stroosseluucht, an de variable Widderstand, deen sech proportional mat der Stäerkt vum Liicht ännert, sollten Cds- a Pbs-Liichtempfindlech Elementer wielen; Rotatiounsencoderen, Geschwindegkeetssensoren an Ultra-High-Speed-Lasersensoren sollten integréiert photoelektresch Sensoren sinn.
Typ vun engem photoelektresche Sensor Beispill vun engem photoelektresche Sensor
PN-VerbindungPN Photodiod(Si, Ge, GaAs)
PIN Photodiod (Si Material)
Lawine-Photodiod(Si, Ge)
Phototransistor (PhotoDarlington-Röhre) (Si-Material)
Integréierte photoelektresche Sensor a photoelektresche Thyristor (Si-Material)
Fotozell ouni PN-Verbindung (Material mat CdS, CdSe, Se, PbS)
Thermoelektresch Komponenten (benotzt Materialien (PZT, LiTaO3, PbTiO3)
Elektronenröhrchen-Fotoröhrchen, Kameraröhrchen, Photomultiplikatorröhrchen
Aner faarfempfindlech Sensoren (Si, α-Si Materialien)
Solidbildsensor (Si-Material, CCD-Typ, MOS-Typ, CPD-Typ)
Positiounserkennungselement (PSD) (Si-Material)
Fotozell (Photodiod) (Si fir Materialien)


Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 18. Juli 2023