Op dem "PhotoDotector ApparatStruktur
PhotoDotektorAss een Apparat, déi dankbaresch Signatike konstruktuerg konvertrifen, ass seng Struktur a ville Ville gestéiert?
(1) Photycléierend PhotoDetector
Och wann eng Fotouell Geräter an Liicht ausgesat sinn, hëlt déi egognescher Schwieregkeeten hir Realiséiere erhéike wierksam a hëlt hir Resistenz of. D'Carrièrs begréisst sech op Raumtemperatur an eng direkt Manéier ënner der Aktioun vun engem elektresche Feld, also generational. Ënner dem Zoustand vu Liicht sinn Elektronen ginn opgereegt an iwwerflächend geschitt. Gläichzäiteg, si drift ënner der Handlung vun engem elektresche Feld fir e Photocurrent ze bilden. Déi entzunnend Photogenered Betrièrächer erhéijen d'Räicherivitéit erhéijen vun der Apparat an sou reduzéiert d'Resistenz. Photocyclingsive PhotodeTotoren weisen normalerweis héich Gewënn a grouss Requestéierung an der Leeschtung, awer si kënnen net op d'Héichfrequenz optesch Signaler reagéieren, sou datt d'Äntwertgeschwindegkeet an e puer Aspekter gëtt.
(2)Pn PhotoDotector
De PN PhotoDotector gëtt vum Kontakt tëscht P-Typ S-Typ Semicondmaterial an N-Typ Semicondmaterial geformt. Ier d'Kontakt formel geformt ass, sinn déi zwou Saachenheet an engem séngs Staatsrat. De FiMi Niveau am P-Typ Semikonductor ass no bei de Rand vun der Valencand, wärend de Fimi Niveau an dem N-Typ Semicondportor ass no beim Rand vun der Carction. Zur selwechter Zäit, de Fommtniveau vum n-typ Material um Rand vum Randband gëtt kontinuéierlech erofgaang bis de Fermi Niveau vun deenen zwee Materialien an der selwechter Plaz ass. D'Ännerung vun der Positioun vun der Zortenderammlung europawin gëtt och begleet vun der Band. De pn Kräizung ass am Gläichgewiicht an huet en eenheetleche Feri Niveau. Vum Aspekt vun der Befreiung vun der charge Carrier Analyse, déi meescht vun de charge Carrièren a P-Typ Materialien sinn Lächer, wärend déi meescht vun de charge Carrièren an n-Typ Materialer sinn. Wann d'Inquitéit um Kontakte setzen, dann um Ustrengent an der Tréier vun der Tréierkonterszentratioun, déi den Effekt op de entdecken, kommen an d'Effologens an déi entgéint ënnerscheet, während d'Effiller an de Géigendeel. The uncompensated area left by the diffusion of electrons and holes will form a built-in electric field, and the built-in electric field will trend carrier drift, and the direction of drift is just opposite to the direction of diffusion, which means that the formation of the built-in electric field prevents the diffusion of carriers, and there are both diffusion and drift inside the PN junction until the two kinds of motion are balanced, so that the static carrier Flow ass null. Intern dynamesch Gläichgewiicht.
Wéi d'PNS) ënnerliert ass duerch d'Hrigon vun der Stralung, d'Energie vum Koaret transferéiert an datotziedler Touranier, gëtt de Gotozenzütte Pairsied bruecht, déi elackeréiert ass, ass de Gotozonéierendraut. Ënnert der Handschamt vum Stroumfeld, dem Elektron an Lach ignéiert an där Nation an der Piv respektiv, an déi seëldeidegerer Trioritéit vun der soterieller Carrientratioun Genehbiere Dëst ass de Basis Prinzip vum PN Junction Photorateur.
(3)Pin PhotoDotector
PIN Photodiode ass e p-Typ Material an n-type Material tëscht der I Layer, d'I Layer vum Material ass allgemeng en intrinsesche oder niddregem oder niddregem Material. Hien huet misst Mëllemanismus am Aspartei ähnlech an der Depraktiounsichte sinn, an déi druffter Käschte Carrièren bilden, eng aktuellt D'Roll huet Presidentekonsprohung gespillt, ech wäert d'Breetbuerg vun der entscheede getrennte getrennt sinn, an d'Schicht Madecker Ëmbenstellt baussi bausse deniichten, ginn och vun der Erléisung duerch d'Ënnerflëssegkeet duerch Diffusioun, Form oder ënnerscheedend aktuells en aktuelle aktuellen. D'Dicken vum Publischum ass allgemeng ganz dënn, a säin Zweck ass d'Äntwertskraaft vun der Detektor ze verbesseren.
(4)Apd PhotoDotektorAvalanche Photodiodiot
De Mechanismus vunAvalanche Photodiodiotass ähnlech wéi déi vun der PN Kräizung. APD PhotoDotector benotzt staark gedidder pn Kräizung, d'Operatiounsrotung baséiert op der Apd Cetrection ass grouss, a wann e grousst Reaktiouns-Kollector ass an der EronCurrent an Avdizipratioun erapt Wann AnsD ass am Réckschutz Modus ass, ass dat elektrescht Feld an der Exellersterei ganz trotzdem si gefalen duerch dem Minister sech fir d'Been blëtze wéi och zerécksiichtegt ginn. Et gëtt eng Wahrscheinlechkeet datt Elektrons an de Little während dësem Prozess blasséiert, verursaacht d'Elektronen an der Lotenze fir ioniséiert ze sinn. Dëse Prozess gëtt widderholl, an déi isoniséierter Ionen an der Getriede kollidéiert och mam Letzler, well d'Zuel vun de Kreifrechteren an der Apda, deen an engem groussen aktuelle gëtt. Et ass dësen eenzegaartege kierperlechen Mechanismus bannent der Apd, déi Apd-baséiert Detektoren allgemeng d'Charakteristike vu séierer Äntwertgeschwindegkeet hunn an grouss aktuelle Wäertgewiicht. Verglach mat PN Jriichtung a Pin, Apd huet eng méi séier Äntwertegaggeschwindegkeet, déi déi schnellesch Äntwertschwecker ënner den aktuelle Fotografitwatitiv Rubelates entsteet.
(5) Schotty Junction PhotodeTate
D'Basis Struktur vum Schotty Junction PhotoDoteur ass e Pappy Diode, deem seng elektresch Charakteristike ähnlech wéi déi vun der PN-Ofkuerschung uewe beschriwwen ass. Wann eng Metall mat enger héijer Aarbechtsstil an engem Hallefkommandor mat engem nidderegen Aarbechtskontroll kontaktéiert gëtt, gëtt eng Botkly Barriär format an an den doganke Center e Schéisselen e schattbaren Jursschaarf. Den Haapt smechitem ass e bëssen Origin vun der Pn-Jefektioun, 4 Zeimaterialsokratioune loossen. Wourecht op déi widdend Uleierv Arrivéiert kontinuéierlech op engem groussen Einfachtretter, an d'Uewerlännerung an der Darmgetroler ass gläichzäiteg duerchgefouert, nodeems e Band vun de Sutschetz zum Metentragnecht ausgewielt, gouf e Kadribonumen op d'Kanditioun ëmgedroen. Schaarf Kräizung. Ënner e Liichtbedingunge, fräiregierrreg Regioun ajoritéit absorft a generakt a generakten Elektronon-Lénger Ëmgeréits fir duerch d'Schubstir. Verglach mat PN Kräizung, de Phototeor baséiert op der Schottky Kräizung huet eng méi séier Äntwertgeschwindegkeet, an d'Äntwertgeschwindegkeet kann och NS Niveau erreechen.
Postzäit: Aug-13-2024