Wat ass e PIN-Fotodetektor

Wat ass ePIN-Fotodetektor

E Photodetektor ass genee en héichempfindlechenHalbleiter-photonescht Apparatdéi Liicht an Elektrizitéit ëmwandelt andeems se de photoelektreschen Effekt benotzt. Seng Haaptkomponent ass d'Photodiode (PD-Fotodetektor). Déi heefegst Zort besteet aus enger PN-Verbindung, entspriechenden Elektrodenleitungen an enger Rouerhüll. Si huet eng unidirektional Konduktivitéit. Wann eng Virspannung ugewannt gëtt, leet d'Diode; wann eng Réckspannung ugewannt gëtt, schalt d'Diode of. E PD-Fotodetektor ass ähnlech wéi eng üblech Hallefleederdiod, ausser dattPD-Fotodetektorfunktionéiert ënner Réckspannung a kann ausgesat ginn. Et ass duerch eng Fënster- oder Glasfaserverbindung verpackt, sou datt d'Liicht den photosensitiven Deel vum Apparat erreecht.

Mëttlerweil ass déi am meeschte benotzt Komponent an engem PD-Fotodetektor net d'PN-Iwwergank, mä d'PIN-Iwwergank. Am Verglach mat der PN-Iwwergank huet d'PIN-Iwwergank eng zousätzlech I-Schicht an der Mëtt. D'I-Schicht ass eng Schicht aus N-Typ Hallefleeder mat enger ganz niddreger Dotierungskonzentratioun. Well et e bal intrinsesche Hallefleeder mat enger niddreger Konzentratioun ass, gëtt se I-Schicht genannt. D'I-Schicht ass relativ déck an hëlt bal déi ganz Ofbauregioun an. Déi grouss Majoritéit vun den afalen Photonen gëtt an der I-Schicht absorbéiert a generéiert Elektron-Lach-Pairen (photogeneréiert Träger). Op béide Säite vun der I-Schicht sinn P-Typ an N-Typ Hallefleeder mat ganz héijen Dotierungskonzentratiounen. D'P- an N-Schichte si ganz dënn, absorbéieren e ganz klengen Undeel vun den afalen Photonen a generéieren eng kleng Zuel vu photogeneréierten Träger. Dës Struktur kann d'Reaktiounsgeschwindegkeet vum photoelektreschen Effekt däitlech beschleunegen. Wéi och ëmmer, eng ze breet Ofbauregioun wäert d'Driftzäit vun de photogeneréierten Träger an der Ofbauregioun verlängeren, wat amplaz zu enger méi lueser Reaktioun féiert. Dofir sollt d'Breet vun der Ofbauregioun sënnvoll gewielt ginn. D'Äntwertgeschwindegkeet vun der PIN-Junction-Diod kann geännert ginn andeems d'Breet vun der Depletiounsregioun kontrolléiert gëtt.

De PIN-Fotodetektor ass en héichpräzisen Stralungsdetektor mat exzellenter Energieopléisung an Detektiounseffizienz. Hie kann verschidden Aarte vu Stralungsenergie präzis moossen an doduerch eng séier Reaktioun an eng héich Stabilitéitsleistung erreechen. D'Funktioun vumFotodetektorass et, déi zwee Liichtwellesignaler no der Beatfrequenz an elektresch Signaler ëmzewandelen, den zousätzleche Kaméidi vum lokalen Oszillatorliicht ze eliminéieren, de Signal vun der mëttlerer Frequenz ze verbesseren an de Signal-Kaméidi-Verhältnis ze verbesseren. PIN-Fotodetektoren hunn eng einfach Struktur, einfach Benotzung, héich Empfindlechkeet, héije Verstärkung, héich Bandbreet, niddrege Kaméidi a staark Anti-Interferenz-Fäegkeet. Si kënnen a verschiddenen haarde Ëmfeld stabil funktionéieren a gi virun allem an der Wandmiessung vu Lidar-Signalerkennung agesat.