Aarbechtsprinzip vum Semikonducturtor Laser

Aarbechtsstrinzip vunsemiconductors Laser

Fir nei Period gestallt de PAMPETERENEG mat der maleschanesch Musikat Folf a Material u déi folgender Aspekter:
1. Photeleeleresch Leeschtung: Trasent Stéierungsnatio, dynamesch linewidst an aner Parameteren, dës Parameteren beaflossen d'Perceptioun vun der Semikolanten an Kommunikatiounsystemer.
2. Strukturell Parameteren: Wéi hellst Gréisst an d'Arrangement, Extraktiounstrichteg Definitioun, Installatiounsgréisst an Iwwersiichtsgréisst.
3. Wellelängt: D'Wellelängteschrankheeten vum Hallefanne-Laser ass 650 ~ 1650nm, an d'Genauegkeet ass héich.
4. Dréimoment
5 Schwätzt a Valot (Velot: Andeems Dir d'Mass mat der Mass ass, Spannung an aktuelle vum Hallefholinucts Kas bei der Aarbecht hunn, Pike hir Aarbechtsaricher ze verstoen.

Aarbechtsprinzip
1. Gewënn Konditioune: D'Inversioun Verdeelung vun de CHührperperaturen an der Laging Medium (aktiv Regioun) gëtt etabléiert. Am Semiconductor, d'Energiequenz gëtt vun enger Serie vu bal kontinuéierten dauernd Energieniveauen vertruede. Dofir sinn d'Zuel vun den Elektronen um Enn vun der Canptuatiounsband an der héijer Energiatiker méi grouss wéi d'Zuel vun de Lächer uewen vun der Valten Band am nidderegen Energiemand vun der Leschter Bande vun der Ënnerhalungsregioun. Dëst gëtt erreecht andeems en en positiven Bias an d'Homojunction oder heterunction an der aktueller Pfeiler an der aktiver Schichter vun den Elektransband op déi héich Energiegrupp op déi héich Energiegrupp op déi héich Energiegrupp op déi héich Energiegrupp op déi héich Energiegrupp op déi héich Energiegrupp op déi héich Energiegrupp op déi héich Energiegrupp op déi héich Energiegband op déi héich Energiegband op déi héich Energiegband. Wann eng grouss Zuel vun Elektronen am reverséierte Partikel Bevëlkerungsmamm ass mat Lämmercher, stimuléiert Emissiounsplaz op.
2. Et kritt tatsächlech kuerher stimuléierter Stralung ze kréien, as de stimuléierter Radiatioun op déi en oschizisesche Reformatel, de Verweigerung vum Laser ass vun der ganzer Verdung virun allem klappt Stralung kräizegten dréit, well e Patient op d'Enn vun de Liicht geschmaacht gëtt Fir d'FP Kavitéit (Faby-Pamevititéit) Semiconduction Laser, d'FP Kavitéit kann liicht gebaut ginn andeems d'natierlech Verréckelungsplan vum Kristaller vum Kristaller vum Kristaller vum Kristaller vum Kristalle vum Kristaller vum Cloud
(3) fir eng stabil Krankheet ze Formularatioun maachen, muss de Wasrig- an der Haftung oder Iech erputbissär setzen, vun der Hölterseraap. Dëst muss eng staark genuch aktuell Injektioun hunn, ass et duer, wou et genuch Partikelnummer anzeschléissen, wat méi héich de Grad vun der Ofspiller kann e gewëssenhnen kann. Wann de Laser d'Schwell erreecht huet, liicht mat enger spezifescher Wellelängt kann an der Huelraum an der Bedeitung resonéiert ginn, an endlech eng Laser an dauernd an dauernd an dauernd an dauerhafter Ausgang.

Performance Ufuerderung
1. Modulation Bandbreedung an d'Hallefofkurikter Laseren an hirer Modulatiounstechnologie sinn entsuergung an Wendungsbeständler an der Wendungsquatif Intern moduléiert Laser (direkt moduléiert Laser) ass gëeegent fir verschidde Felder an optescher Faser Kommunikatioun wéinst senger héijer Geschwindegkeet a geréng Käschte.
2Dfb Laser) ginn eng wichteg Luuchtquell an optescher Faser Kommunikatiouns- a Weltraumfaktesch Kommunikatioun wéinst hiren exzellenten Cektular Charakteristiken a Modulatoristiken.
3. Käschte a Massproduktioun: hallefhändler musse d'Virdeeler vun niddrege Käschte a Massebedails a Massebroduktiouns- a Uwendungen begéinen.
4. Kraaftverbrauch an Zouverlässegkeet: An Applikatiouns Szenarie wéi Datenzenteren, Hallefbewunner erfuerderlech fir laangfristeg Komplementar an Héichschoulgemierung.