Rof Elektrooptesche Modulator 780nm LiNbO3 Intensitéitsmodulator 10G
Fonktioun
* Niddreg Insertion Verloscht
* Héich Bandbreet
* Niddreg Hallefwellespannung
* Optioun fir d'Personaliséierung
Applikatioun
⚫ ROF-Systemer
⚫ Quante Schlësselverdeelung
⚫ Laser-Detektiounssystemer
⚫ Säitebandmodulatioun
| Rof-AM Serie | Rof-AM-07 | Rof-AM-08 | Rof-AM-10 | Rof-AM-13 | Rof-AM-15 | |||
| Betribswellenlängt | 780nm | 850nm | 1064nm | 1310nm | 1550nm | |||
| Bandbreet | 10GHz | 10GHz | 10/20GHz | 2,5 GHz | 50GHz | 10GHz | 20GHz | 40GHz |
| Insertion Loss | <5dB | <5dB | 5dB | 5dB | 4dB | |||
| Ausstierwungsverhältnis @DC | >20dB | >20dB | >20dB | >20dB | >20dB | |||
| VΠ @RF (1KHz) | <3V | <3V | <4V | <3,5V | 6V | <5V | ||
| VΠ @Bias | 3.5V | 3.5V | <5V | <5V | <8V | <7V | ||
Bestellungsinformatiounen
| Rof | AM | XX | XXG | XX | XX | XX |
| Typ: AM --- Intensitéitsmodulator | Wellelängt: 07---780nm 10---1060nm 13---1310nm 15---1550nm | Bandbreet: 10GHz 20GHz 40GHz 50GHz
| Iwwerwaachungs-PD: PD---Mat PD | Fasertyp In-Out: PP --- PM/PM | Opteschen Uschloss: FA---FC/APCFP---FC/PC SP---Personaliséierung |
R-AM-07-10G
Wellelängt 710nm 10GHz Intensitéitsmodulator
| Parameter | Symbol | Min. | Typ | Max | Eenheet | ||||
| Optesch Parameteren | |||||||||
| Betribswellenlängt | l | 760 | 780 | 800 | nm | ||||
| Insertion Verloscht | IL | 4.5 | 5 | dB | |||||
| Optesche Réckverloscht | ORL | -45 | dB | ||||||
| Schalter-Aussterbungsverhältnis @DC | ER@DC | 20 | 23 | dB | |||||
| Optesch Faser | InputHafen | PM780Faser (125/250μm) | |||||||
| Ausgangsport | PM780Faser (125/250μm) | ||||||||
| Glasfaser-Interface | FC/PC, FC/APC oder Personnalisatioun | ||||||||
| Elektresch Parameteren | |||||||||
| Betribsbandbreet(-3dB) | S21 | 10 | 12 | GHz | |||||
| Hallefwellespannung Vpi | RF | @1KHz |
| 2.5 | 3 | V | |||
| Viruerteel | @1KHz |
| 3 | 4 | V | ||||
| Elektresche Réckgabverloscht | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| Input-Impedanz | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| Viruerteel | ZBIAS | 1M | W | ||||||
| Elektresch Schnittstell | SMA(f) | ||||||||
Limitbedingungen
| Parameter | Symbol | Eenheet | Min. | Typ | Max |
| Optesch Inputleistung | Pan, Max | dBm | 20 | ||
| Input HF-Leeschtung | dBm | 28 | |||
| Biasspannung | Vbias | V | -15 | 15 | |
| Betribstemperatur | Uewen | ℃ | -10 | 60 | |
| Lagertemperatur | Test | ℃ | -40 | 85 | |
| Fiichtegkeet | RH | % | 5 | 90 |
S21 Kurve
&S11 Kurve
S21&s11 Kurven
Mechanescht Diagramm
| HAFEN | Symbol | Notiz |
| An | Opteschen Inputport | PM-Faser (125μm/250μm) |
| Eraus | Opteschen Ausgangsport | PM- a SMF-Optioun |
| RF | RF-Inputport | SMA(f) |
| Viruerteel | Bias Kontrollport | 1,2 Bias, 34-N/C |
Rofea Optoelectronics bitt eng Produktlinn vu kommerziellen elektrooptesche Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitéitsmodulatoren, Photodetekteren, Laserliichtquellen, DFB-Laseren, optesche Verstärker, EDFA, SLD-Laser, QPSK-Modulatioun, Pulslaser, Liichtdetektor, ausgeglachene Photodetektor, Lasertreiber, Glasfaserverstärker, optesche Leeschtungsmesser, Breitbandlaser, ofstëmmenden Laser, opteschen Detektor, Laserdiodentreiber, Glasfaserverstärker. Mir bidden och vill speziell Modulatoren fir d'Personaliséierung, wéi z. B. 1*4-Array-Phasenmodulatoren, ultra-niddrege Vpi- an ultra-héijen Extinktiounsverhältnismodulatoren, déi haaptsächlech an Universitéiten an Instituter benotzt ginn.
Hoffen, eis Produkter wäerten Iech an Ärer Fuerschung hëllefräich sinn.







