Rof EOM Intensitéitsmodulator 20G Dënnfilm Lithium Niobat Elektrooptesche Modulator
Fonktioun
■ HF-Bandbreet bis zu 20/40 GHz
■ Niddreg Hallefwellespannung
■ Insertion-Verloscht vun nëmmen 4,5 dB
■ Kleng Apparatgréisst

Parameter C-Band
Kategorie | Argument | Sym | Uni | Aointer | |
Optesch Leeschtung (@25°C) | Betribswellelängt (*) | λ | nm | X2:C | |
~1550 | |||||
Optesch Extinktiounsverhältnis (@DC) (**) | ER | dB | ≥ 20 | ||
Optesche Réckverloscht
| ORL | dB | ≤ -27 | ||
Opteschen Insertion-Verloscht (*) | IL | dB | MAX: 5.5Typ: 4.5 | ||
Elektresch Eegeschaften (@25°C)
| 3 dB elektrooptesch Bandbreet (vun 2 GHz) | S21 | GHz | X1: 2 | X1: 4 |
MIN: 18Typ: 20 | MIN: 36Typ: 40 | ||||
RF-Hallefwellespannung (@50 kHz)
| Vπ | V | X3:5 | X3:6 | |
MAX: 3.0 Typ: 2.5 | MAX: 3.5 Typ: 3.0 | ||||
Hëtztmoduléiert Bias-Hallefwellenkraaft | Pπ | mW | ≤ 50 | ||
RF-Réckverloscht (2 GHz bis 40 GHz)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
Aarbechtskonditioun
| Betribstemperatur | TO | °C | -20~70 |
* personaliséierbar** Héicht Ausschlëssverhältnis (> 25 dB) kann personaliséiert ginn.
Parameter O-Band
Kategorie | Argument | Sym | Uni | Aointer | |
Optesch Leeschtung (@25°C) | Betribswellelängt (*) | λ | nm | X2:O | |
~1310 | |||||
Optesch Extinktiounsverhältnis (@DC) (**) | ER | dB | ≥ 20 | ||
Optesche Réckverloscht
| ORL | dB | ≤ -27 | ||
Opteschen Insertion-Verloscht (*) | IL | dB | MAX: 5.5Typ: 4.5 | ||
Elektresch Eegeschaften (@25°C)
| 3 dB elektrooptesch Bandbreet (vun 2 GHz) | S21 | GHz | X1: 2 | X1: 4 |
MIN: 18Typ: 20 | MIN: 36Typ: 40 | ||||
RF-Hallefwellespannung (@50 kHz)
| Vπ | V | X3:4 | ||
MAX: 2.5 Typ: 2.0 | |||||
Hëtztmoduléiert Bias-Hallefwellenkraaft | Pπ | mW | ≤ 50 | ||
RF-Réckverloscht (2 GHz bis 40 GHz)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
Aarbechtskonditioun
| Betribstemperatur | TO | °C | -20~70 |
* personaliséierbar** Héicht Ausschlëssverhältnis (> 25 dB) kann personaliséiert ginn.
Schuedschwell
Wann den Apparat de maximalen Schuedgrenz iwwerschreit, verursaacht dat irreversibelen Schued um Apparat, an dës Zort vu Schued um Apparat gëtt net vum Ënnerhaltsservice ofgedeckt.
AArgument | Sym | Swielbar | MIN | MAX | Uni |
RF-Inputleistung | Sënn | - | 18 | dBm | Sënn |
RF-Input-Schwingspannung | Vpp | -2,5 | +2,5 | V | Vpp |
RMS-Spannung vum RF-Input | Vrms | - | 1,78 | V | Vrms |
Optesch Inputleistung | Pinnen | - | 20 | dBm | Pinnen |
Thermojustéiert Biasspannung | Uheizung | - | 4.5 | V | Uheizung |
Hot Tuning Bias Stroum
| Heizung | - | 50 | mA | Heizung |
Lagertemperatur | TS | -40 | 85 | ℃ | TS |
Relativ Loftfiichtegkeet (keng Kondensatioun) | RH | 5 | 90 | % | RH |
S21 Testprobe
FIG1: S21
FIG2: S11
Bestellungsinformatiounen
Dënnfilm-Lithiumniobat 20 GHz/40 GHz Intensitéitsmodulator
auswielbar | Beschreiwung | auswielbar | |
X1 | 3 dB elektrooptesch Bandbreet | 2or4 | |
X2 | Betribswellenlängt | O or C | |
X3 | Maximal HF-Inputleistung | C-Band5 or 6 | O-Band4 |
Rofea Optoelectronics bitt eng Produktlinn vu kommerziellen elektrooptesche Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitéitsmodulatoren, Photodetekteren, Laserliichtquellen, DFB-Laseren, optesche Verstärker, EDFA, SLD-Laser, QPSK-Modulatioun, Pulslaser, Liichtdetektor, ausgeglachene Photodetektor, Lasertreiber, Glasfaserverstärker, optesche Leeschtungsmesser, Breitbandlaser, ofstëmmenden Laser, opteschen Detektor, Laserdiodentreiber, Glasfaserverstärker. Mir bidden och vill speziell Modulatoren fir d'Personaliséierung, wéi z. B. 1*4-Array-Phasenmodulatoren, ultra-niddrege Vpi- an ultra-héijen Extinktiounsverhältnismodulatoren, déi haaptsächlech an Universitéiten an Instituter benotzt ginn.
Hoffen, eis Produkter wäerten Iech an Ärer Fuerschung hëllefräich sinn.