Rofintensitéit modulator dënnem Film lithium Niobate modulator 20G TFLULTOR modulator

Kuerz Beschreiwung:

Rof 20G TFLN MODULULATOR. Dënnte Film Lithium Niobateintensitéitsmodulator ass en héijen Performance elektresch Konversiounsëtz, deen onméiglech ass vun eiser Firma. D'Produkt gëtt vu Stroumspookolatiouns Technologie gerechent fir ultra-héich elektresch Konversioun z'erreechen. Am Verglach mat deemradradent Lithaiumnahn Wuerrader Brandler, Fuerschungsprojete verstelle kënnen d'Charakterueren a méi niddereg stabilitéit gebraucht ginn.


Promrat Detail

Rofa Optolectronics bitt optesch a photonics Elektro-Optik Modulatoren Produkter

Produktiounsnagéieren

D'Feature

■ RF Bandwidh bis zu 20/40 ghz

■ Niddereg Hallefwelle Spannung

■ Insertéierungsverloscht sou niddereg wéi 4.5DB

■ kleng Gerätgréisst

Rof eomintensitéit modulator 20g dënnem Film lithium Niobulator Tiebulator tfllulator

Parameter C-Band

Gemengen

Argument

Sym Net adri Aloder

Optesch Leeschtung

(@ 25 ° C)

Betrib Wellelängt (*) λ nm X2:C
~ 1550
Optesch Ausstierver Verhältnis (@dc) (**) ER dB ≥ 20

Optical Retourverloscht

Orl dB ≤ -27

Optesch Insertiounsverloscht (*)

IL dB Max: 5.5Typ: 4.5

Elektresch Eegeschafte (@ 25 ° C)

3 DB Elektro-optesch Bandbreedung (vun 2 GHz

S21 Spill Don X1: 2 X1: 4
Min: 18typ: 20 Min: 36typ: 40

Rf hallef Wellet Spannung (@ 50 khz)

Vπ V X3:5 X3:6
Max: 3.0typ: 2.5 Max: 3.5typ: 3.0
Hëtzt moduléiert Bias hallef Welle Kraaft mW ≤ 50

RF zréckverloscht (2 GHz bis 40 GHz)

S11 dB ≤ -10

Aarbechtskonditioun

Betribsortemperatur

TO ° C -20 ~ 70

* personaliséierbar** Héich Ausstierf Verhältnis (> 25 db) ka personaliséiert ginn.

Parameter O-Band

Gemengen

Argument

Sym Net adri Aloder

Optesch Leeschtung

(@ 25 ° C)

Betrib Wellelängt (*) λ nm X2:O
~ 1310
Optesch Ausstierver Verhältnis (@dc) (**) ER dB ≥ 20

Optical Retourverloscht

Orl dB ≤ -27

Optesch Insertiounsverloscht (*)

IL dB Max: 5.5Typ: 4.5

Elektresch Eegeschafte (@ 25 ° C)

3 DB Elektro-optesch Bandbreedung (vun 2 GHz

S21 Spill Don X1: 2 X1: 4
Min: 18typ: 20 Min: 36typ: 40

Rf hallef Wellet Spannung (@ 50 khz)

Vπ V X3:4
Max: 2.5Typ: 2.0
Hëtzt moduléiert Bias hallef Welle Kraaft mW ≤ 50

RF zréckverloscht (2 GHz bis 40 GHz)

S11 dB ≤ -10

Aarbechtskonditioun

Betribsortemperatur

TO ° C -20 ~ 70

* personaliséierbar** Héich Ausstierf Verhältnis (> 25 db) ka personaliséiert ginn.

Schued Schwell

Wann den Apparat de maximale Schued iwwerschreift, verursaache se irreversibel Schued um Apparat, an dës Zort vum Apparatbuedem ass net vum Ënnerhaltdéngscht.

ARGUMMER

Sym Selkomptabel Min Max Net adri

Rf Input Kraaft

Sënneg - 18 DBM Sënneg

Rf Input Schaukel Spannung

Vppéieren -2.5 +2.5 V Vppéieren

Rf Input rms Spannung

Vrms - 1.78 V Vrms

Optesch Input Kraaft

Pin - 20 DBM Pin

Thermotuned Bias Spannung

Uheater - 4.5 V Uheater

Waarm Tuning Bias aktuell

IUERHER - 50 mA IUERHER

Späicheren Temperatur

TS -40 85 TS

Relativ Fiichtegkeet (keng Kondensatioun)

RH 5 90 % RH

S21 Test Probe

Figong1: S21

Figong2: S11

Zougréieren Informatiounen

Dënn Film Lithium Niobate 20 GHz / 40 ghz intensiven Modulator

selwabel Broessdatsch selwabel
X1 3 DB Elektro-optesch Bandbreedung 2or4
X2 Betrib Wellelängt O or C
X3 Maximum RF Input Power C-H-Band5 or 6 O-band4

  • Virdrun:
  • Nächst:

  • Rofea Optoelectronics offers a product line of commercial Electro-optic modulators, Phase modulators, Intensity modulator, Photodetectors, Laser light sources, DFB lasers,Optical amplifiers, EDFA, SLD laser, QPSK modulation, Pulse laser, Light detector, Balanced photodetector, Laser driver, Fiber optic amplifier, Optical power meter, Broadband Laser, Tunaber Laser, optical Detektor, Laser Diode Driver, Fiber Offliquier. E Qualifikator léiert och vill besonnesch manattrakter fir Perséinlechkeet, wéi se vun de Mangel-Nidderain, an Uelra-niddereg Ausland gemaach.
    Hoffen eis Produkter wäert Iech hëllefe sinn an Är Fuerschung.

    Betrëfft