457nm Héichleistungs-Eenfrequenz-Blo-Laser

457nm Héichleistungs-Eenfrequenzbloe Laser
Optescht Weedesign vun engem 457nm Héichleistungs-Eenfrequenz-Blolaser mat enger Eenfrequenz
Déi benotzt Pompelquell ass en 30 W Glasfaser-gekoppelte Laserdioden-Array. Zweetens gëtt e Ringresonator fir d'Modusauswiel ausgewielt. D'Ennfläch gëtt mat engem 5 mm laangen Nd3+-dotierten Yttriumvanadat (Nd:YVO4) Kristall mat enger Konzentratioun vun 0,1% gepompelt. Dann, duerch eng I-Typ phasen-ugepasst Lithiumtriborat (LBO) Kristallhöhl, gëtt déi zweet Harmonesch generéiert fir eng 457nm Héichleistungs-Eenfrequenz-Singlefrequenz z'erreechen.LaserAusgangsleistung. Wann d'Pompelleistung 30 W ass, ass d'Ausgangsleistung vum 457nm Eenfrequenzlaser 5,43 W, d'zentral Wellelängt ass 457,06 nm, d'Liicht-zu-Liicht-Konversiounseffizienz ass 18,1%, an d'Leeschtungsstabilitéit bannent 1 Stonn ass 0,464%. De 457nm Laser funktionéiert am Grondmodus am Resonator. D'Strahlqualitéitsfaktoren laanscht d'x- an y-Richtung sinn 1,04 respektiv 1,07, an d'Elliptizitéit vum Liichtfleck ass 97%.

Beschreiwung vum optesche Wee vum staarke bloe LiichtEenzelfrequenzlaser
D'Pompelquell benotzt eng optesch FaserkopplungHalbleiter-LaserdiodE Faser-Array mat enger zentraler Wellelängt vun 808 nm, enger kontinuéierlecher Ausgangsleistung vun 30 W an engem Faserkärduerchmiesser vu 400 μm, mat enger numerescher Apertur vun 0,22.
D'Pompelliicht gëtt vun zwou planokonvexe Lënsen mat enger Brennwäit vun 20 mm kolliméiert a fokusséiert a fält dann op d'...LaserkristallDe Laserkristall ass en 3 mm × 3 mm × 5 mm Nd:YVO4 Kristall mat enger Dotierungskonzentratioun vun 0,1%, mat 808 nm an 914 nm Antireflexfilmer, déi op béide Enden ofgesat sinn, an de Kristall ass mat Indiumfolie agewéckelt an an eng Kofferklemmfixtur placéiert. D'Kofferklemmfixtur gëtt präzis vun engem Hallefleederkühler temperaturgeregelt an op 15 ℃ agestallt.
De Resonator ass eng Ringkavitéit mat véier Spigelen, déi aus M1, M2, M3 an M4 besteet.
M1 ass e Planespigel mat 808 nm, 1064 nm an 1342 nm Antireflexfilmer (R<0,05%), an engem 914 nm Totalreflexfilm (R>99,8%); M4 ass e Planespigel mat engem 914 nm Totalreflexfilm (R>99,8%), 457 nm an 1064 nm, 1342 nm Antireflexfilmer (R<0,02%); M2 an M3 sinn allebéid plano-konkav Spigelen mat engem Krümmungsradius vun r = 100 mm, mat 1064 nm an 1342 nm Antireflexfilmer (R<0,05%) op der Fläch an 914 nm an 457 nm Totalreflexfilmer (R>99,8%) op der konkaver Uewerfläch.
Déi hallefwelle Plack an den TGG Kristall, déi am Magnéitfeld placéiert sinn, hunn allebéid 914 nm Antireflexiounsfilmer (R<0,02%). Duerch d'Aféierung vun engem opteschen unidirektionalen Apparat, deen aus TGG an der hallefwelle Plack besteet, gëtt de Laser gezwongen, unidirektional am Ringresonator ze lafen, wouduerch séchergestallt gëtt, datt de Laser stabil an engem Eenfrequenzzoustand funktionéiert. FP ass e Standardstéck mat enger Déckt vun 2 mm, mat enger duebelsäiteger beschichteter Reflexiounsfäegkeet vu 50%, an et féiert eng sekundär Verengung vun der Eenfrequenzoperatioun vum Laser an der Kavitéit duerch. Den LBO Kristall gëtt als Frequenzverdueblungkristall ausgewielt, mat enger Gréisst vun 3 mm × 3 mm × 15 mm, an ass mat 914 nm an 457 nm Antireflexiounsfilmer (R<0,02%) beschichtet, mat I-Typ Phasenanpassung, Schnëttwénkel θ = 90°, φ = 21,9°.