Den Effekt vun héijer Kraaft Silizon Carbide Diode op Pin PhotoDotector
Héich-Kraaft Silicon Kleederschaf Pin Diode war ëmmer ee vun de Hotspots am Feld vun der Power Gerät Fuerschung. E PIN Diode ass e Kristalle Diod konstandéiert duerch d'Sandwanden vun der Andrinsic Sicht saysic Awunner (oder Hallefofhänger mat niddreger Konkurrenten) tëscht Gëftstoffer) an der v + Regioun. An der N + Regioun. Ech an den Pin ass eng Englesch Ofkierzung fir d'Bedeitung vum "intrinsic", well et ass onméiglech e Pinemiffer ouni PIN-Typ. Am Moment ass de Silicon Karkobide Pin Diode haaptsächlech ataptéiert Mesa Struktur a Fligerstruktur.
Wann Dir d'Operatiounsfrequenz vum Pin Diad iwwerschreift. Op Null Bias oder DC Recrisor bias, d'Héichtung an der Regioun ass ganz héich. Am DC Forward Bias, der IR Regioun presentéiert en nidderegen Impedanzstaat wéinst Träger Injektioun. Dofir liwweren Der dann, de PIN DIOS wa Gefibs Element benotzt ginn, am Haapt-Wuelwen ze benotzen ass et no Respektungsplazen, déi an aner Centroeënsquête grouss notzen, kënnen Iech noutwenneg Rofdeën, déi an aner Classiéiere vun engem secommen, sech och méi schlecht spillt.
Héichhandel Silizesch matglid Diode ass wäit a Kraaft benotzt wéinst senger Superkinatioune Resetatioun Resistatiounsaarbechte, haaptsächlech sou héichwäerteg Rouer, déi haaptsächlech als héichwäerteg Rouer erreecht gouf. De Pin Diode huet eng héich ëmgedréint kritesch Ofbau Voltage vb, wéinst der gerénger Doping, wéinst der Layer an der Mëtt Voltrownung. Déi schnell Erhéijung vun der Ziel vun Zone ech an d'Ofsaz vun der Iwwerleeung vunzréischt kann, an d'Zode vum Pessik mat Zënstaz maachen, awer d'Präsenz vu Richtegkeet, déi ech fir dës Präsenze Vizspoad verbesseren, awer d'Präsenz vu Zënsen, déi ech fir dës Verpflichtung féieren. Silicon Carbide 10 Mol de kritesche Réckzuch, et gëtt keng ordentleche Hëtztdiskéierungsproblemer, sou datt d'Silikbide DIDE MICKBide DIDEKT DIELLT DIKECTIONELLT, Koppel, geklommen Silizitéit vu Silizbidder, et wäert keng offensichtlech Hëtztdiskéierungsproblemer, sou datt d'Silize Silize mat engem héije Schëllerbezuele bleift rectifier Apparat am Beräich vun der moderner Kraaft Elektronik.
Wéinst sengem ganz klenge ëmgedréinte Leckage aktuell an héich Carrierm Mobilitéit, Silicon Carbide Diose hunn super Attraktioun am Feld vun der Photelektratioun. Léiwenen aktuell kann den Donkel -institut reduzéieren a reduzéiert nomiseaart gläichft; Héich Carrierm Mobilitéit kann effektiv d'Empfindlechkeet vum Silikon Karkbide Pin Detektor verbesseren (PIN PhotoDotector). Déi héich Kraaft Charakteristike vu Silikon Korbide Diode aktivéieren PA Detektoren fir méi staark Liichtquellen, déi am Weltraumwäsch erkennt gëtt. Héiche Power Silizon bekannt Diooge verstoppt net op eng extrem exzänglech Charakteristiken ze verplaach, an hir Fuerschung war et och vill entwéckelt.
Postzäit: Okt-13-2023