Den Effet vun héich-Muecht Silicon Carbide Diode op PIN Photodetector
High-Power Silicium Carbide PIN Diode war ëmmer ee vun den Hotspots am Feld vun der Kraaftapparat Fuerschung.Eng PIN-Diode ass eng Kristalldiode konstruéiert andeems eng Schicht vun intrinseschen Hallefleit (oder Hallefleit mat enger gerénger Konzentratioun vu Gëftstoffer) tëscht der P+ Regioun an der n+ Regioun sandwichéiert.Den i am PIN ass eng englesch Ofkierzung fir d'Bedeitung vun "intrinsescher", well et onméiglech ass e pure Hallefleit ouni Gëftstoffer ze existéieren, sou datt d'I Schicht vun der PIN Diode an der Applikatioun méi oder manner mat enger klenger Quantitéit P gemëscht ass -Typ oder N-Typ Gëftstoffer.Am Moment adoptéiert d'Silisiumkarbid PIN-Diode haaptsächlech Mesa Struktur a Fligerstruktur.
Wann d'Betribsfrequenz vun der PIN-Diode méi wéi 100MHz ass, wéinst dem Späichereffekt vun e puer Träger an dem Transitzäiteffekt an der Schicht I, verléiert d'Diode de Rectifikatiounseffekt a gëtt en Impedanzelement, a seng Impedanzwäert ännert sech mat der Biasspannung.Bei Null Bias oder DC Reverse Bias ass d'Impedanz an der I Regioun ganz héich.An DC Forward Bias stellt d'I Regioun e nidderegen Impedanzzoustand wéinst Trägerinjektioun.Dofir kann d'PIN-Diode als variabelt Impedanzelement benotzt ginn, am Beräich vun der Mikrowelle- a RF-Kontroll, ass et dacks néideg Schaltgeräter ze benotzen fir Signalschalter z'erreechen, besonnesch an e puer Héichfrequenz Signalkontrollzentren, PIN-Dioden hunn superior RF Signal Kontrollfäegkeeten, awer och wäit benotzt a Phaseverschiebung, Modulatioun, Limitatioun an aner Circuiten.
Héichkraaft Siliziumkarbiddiode gëtt wäit am Kraaftfeld benotzt wéinst senge super Spannungsresistenzeigenschaften, haaptsächlech als Héichkraaft-Griichterröhr benotzt.D'PIN-Diode huet eng héich ëmgedréint kritesch Decompte Volt VB, wéinst der niddereg Doping ech Layer an der Mëtt vun der Haaptrei Spannungsfall.D'Erhéijung vun der Dicke vun der Zone I an d'Reduktioun vun der Dopingkonzentratioun vun der Zone I kann effektiv d'Réckverdeelungsspannung vun der PIN-Diode verbesseren, awer d'Präsenz vun der Zone I wäert de Forward Volt drop VF vum ganzen Apparat an d'Schaltzäit vum Apparat verbesseren zu engem gewësse Mooss, an d'Diode aus Siliziumkarbidmaterial kann dës Mängel kompenséieren.Silicon Carbide 10 Mol de kriteschen Decompte elektrescht Feld vu Silizium, sou datt d'Silicon Carbide Diode I Zonedicke kann op een Zéngtel vum Siliziumröhre reduzéiert ginn, wärend eng héich Decomptespannung behalen, gekoppelt mat der gudder thermescher Konduktivitéit vu Siliziumkarbidmaterialien , Et gëtt keng offensichtlech Wärmevergëftungsprobleemer, sou datt High-Power Silicium Carbide Diode e ganz wichtege Gläichtgerät am Beräich vun der moderner Kraaftelektronik ginn ass.
Wéinst sengem ganz klenge Réckleckstroum an der héijer Carrier Mobilitéit hunn Siliziumkarbiddioden eng grouss Attraktioun am Beräich vun der photoelektrescher Detektioun.Kleng Leckstroum kann den donkelen Stroum vum Detektor reduzéieren a Kaméidi reduzéieren;Héich Carrier Mobilitéit kann effektiv d'Sensibilitéit vum Siliziumkarbid PIN Detektor (PIN Photodetector) verbesseren.D'High-Power Charakteristike vu Siliziumkarbiddioden erméiglechen PIN-Detektoren fir méi staark Liichtquellen z'entdecken a gi wäit am Raumfaart benotzt.Héichkraaft Siliziumkarbiddiode gouf opmierksam gemaach wéinst senge exzellente Charakteristiken, a seng Fuerschung ass och staark entwéckelt.
Post Zäit: Okt-13-2023