Wat ass eBreetkontakt-Halbleiterlaser
Lasere ginn a bal all verdeelte Glasfaser-Detektiounssystemer (DOFS) benotzt, well se effizient injizéieren kënnen.héichleistungs Laserena Faseren. Et gëtt awer verschidden Zorte vu Laser, an hei ginn déi Haapttypen a Reiefolleg vun der zouhuelender Kohärenzlängt, also der ofhuelender Spektralbreet, virgestallt. Am Allgemengen besteet e Laser aus engem Verstärkungsmedium, dat d'Liicht, dat sech duerch en ausbreet, verstärkt a Feedback liwwert, fir dat verstäerkt Liicht zréck an d'Verstärkungsmedium fir de Verstärkungszyklus ze schécken. Dofir ginn, ugefaange mat spontaner Emissioun am Verstärkungsmedium, méi staark a méi kohärent Liichtwellen generéiert, deenen hir Charakteristike souwuel vum Verstärkungsmedium wéi och vun de Feedback-Eegeschafte ofhänken. Normalerweis liwwert Feedback eng resonant Struktur, déi een oder méi Modi bildt, déi all an engem enke Spektralberäich emittéieren.
De breede KontaktHalbleiterlaser, deen einfachsten an eelste Hallefleiterlaser, besteet aus engem Hallefleiterverstärkungsberäich, deen duerch eng PN-Verbindung vun engem direkten Bandlückematerial (wéi GaAs) geformt gëtt, mat Feedback, dat duerch Reflexioun vun de gereinegte Facetten vum Laserchip geliwwert gëtt; D'Längt vun de Laserchips ass normalerweis e puer honnert Mikrometer. Dës Verbindungsstruktur ass entwéckelt fir gläichzäiteg Ladungsträger an d'Liichtausbreedung am Verstärkungsberäich ze beschränken. Als Dioden hunn dës Apparater elektresch Kontakter op béide Säiten. An engem Breetkontaktapparat ass d'Breet vun der ieweschter Elektrode e puer Zénger Mikrometer (typesch ongeféier 75 μm); Dofir bilt d'Liichtemissioun eng Linn laanscht dës Breet, déi Single-Modus an der Fläch senkrecht zum Verbindung ass, an eng komplex Multi-Modus-Liichtfeldverdeelung an der Fläch parallel zum Verbindung representéiert. Wéinst dësem Emissiounsmodus kënnen Breetkontaktlaser nëmmen effizient a Multi-Modus-Faseren gekoppelt ginn. D'Leeschtung vum Breetkontaktlaser ass awer relativ héich, an ënner gepulsten Betribsbedingungen kann den 75 μm Elektrodenapparat typescherweis eng Spëtzeleeschtung vu méi wéi 10 W ausginn.
BreetkontaktlaserDioden si gëeegent fir verschidden Aarte vu Raman Multimode verdeelte Temperaturmesssystemer, well dës Systemer keng héich spektral Rengheet erfuerderen. Si sinn och uwendbar fir verloschtbaséiert Sensoren, wéi zum Beispill déi Systemer, déi kontrolléiert Mikrobéiung als Sensormechanismus benotzen.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 11. Mäerz 2026