Rof Intensitéitsmodulator Dënnfilm Lithium Niobat Modulator 40G TFLN Modulator

Kuerz Beschreiwung:

Den Dënnfilm-Lithiumniobat op Isolator (LNOI) Material ierft déi exzellent elektrooptesch Eegeschafte vu Lithiumniobatmaterialien a Groussmengen a bitt eng nei Léisung fir héichgeschwindeg elektrooptesch Modulatorchips, déi integréiert a miniaturiséiert kënne ginn an eng héich Modulatiounseffizienz hunn. Mir hunn en Dënnfilm-LiNbO3 elektrooptesche Modulator mat breeder Bandbreet an niddreger Hallefwellespannung op Basis vun LNOI Material entwéckelt. Eist Produkt huet exzellent Charakteristike vun héijer Stabilitéit, niddregem Insertion Loss a klenger Gréisst, wat méi virdeelhaft ass wéi traditionell Lithiumniobatmodulatoren a Groussmengen, an huet breet Uwendungsperspektiven an de Beräicher vun der Héichgeschwindegkeetsoptikkommunikatioun a Mikrowellenphotonik.


Produktdetailer

Rofea Optoelectronics bitt Produkter fir optesch a photonik Elektrooptesch Modulatoren un.

Produkt Tags

Fonktioun

Héich Bandbreet, niddrege Verloscht, niddreg Fuerspannung, kleng Gréisst, héich Stabilitéit

 

Feld

Héichgeschwindeg optesch Kommunikatioun, Mikrowellenphotonik, Radar, etc.

Rof EOM Intensitéitsmodulator 20G Dënnfilm Lithium Niobat Modulator TFLN Modulator

Parameter

PParameter

Sym

Indikator

Eenheet

Aarbechtswellenlängt

λ

1530~1565

nm

Opteschen Insertion-Verloscht

IL

≤ 5,5 (Typ 4,5)

dB

Ausstierwungsverhältnis

ER

≥ 25

dB

Optesche Réckverloscht

RL

≤ -30

dB

Maximal optesch Inputleistung

Pin

≤ 200

mW

Elektrooptesch Modulatiounsbandbreet (3dB, vun 2GHz)

BW

≥ 40

GHz

HF-Hallefwellespannung @ 50 kHz

≤ 3,5

V

RF-Reflexioun

S11

≤ -10

dB

Maximal HF-Inputleistung

Sin

≤ 25

dBm

Thermesch Bias-Hallefwellenleistung

50

mW

Thermesch Virspannung

UHeizung

< 8

V

Betribstemperatur

TO

-55~85

Lagertemperatur

TS

-55~85

 

Bestellungsinformatiounen

 

Sym

DBeschreiwung

Optional Parameter

λ

Aarbechtswellenlängt C (~1550nm)O (~1310nm)

BW

3dB Bandbreet 40 (40 GHz)

PD

Iwwerwaachung vun der PD 1 (integréiert), 0 (net integréiert)

IF

Glasfaser-Input P (Polarisatiounserhalend Faser)

OF

Ausgang Glasfaser P (Polarisatiounserhalend Faser), S (Standard Single-Modus Faser)

S

Hallefwellespannung S-Standard

Pakgréisst a Pin-Definitioun

Pan der Definitioun:

SNäht

FUnktioun

RF

RF-Input, 1,85 mm weiblech Kapp

A

Thermostatesch Biaselektrode (positiv an negativ)

B

Thermostatesch Biaselektrode

C

Backup-Thermaljustierungs-Biaselektrode

D

Backup-Thermaljustierungs-Biaselektrode

 

 

 


  • Virdrun:
  • Weider:

  • Rofea Optoelectronics bitt eng Produktlinn vu kommerziellen elektrooptesche Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitéitsmodulatoren, Photodetekteren, Laserliichtquellen, DFB-Laseren, optesche Verstärker, EDFA, SLD-Laser, QPSK-Modulatioun, Pulslaser, Liichtdetektor, ausgeglachene Photodetektor, Lasertreiber, Glasfaserverstärker, optesche Leeschtungsmesser, Breitbandlaser, ofstëmmenden Laser, opteschen Detektor, Laserdiodentreiber, Glasfaserverstärker. Mir bidden och vill speziell Modulatoren fir d'Personaliséierung, wéi z. B. 1*4-Array-Phasenmodulatoren, ultra-niddrege Vpi- an ultra-héijen Extinktiounsverhältnismodulatoren, déi haaptsächlech an Universitéiten an Instituter benotzt ginn.
    Hoffen, eis Produkter wäerten Iech an Ärer Fuerschung hëllefräich sinn.

    Verwandte Produkter