ROF Si justierbaren Verstärkungsphotodetektor Silizium Photodetektor
Fonktioun
Spektralberäich: 320nm~1100nm
3dB Bandbreet: bis zu 11MHz
l Maximal Verstärkungsastellung: 4,75 × 106 V/A (Héichohmig Belaaschtung)
l Geräischer
l Räumlech optesch Kopplungsinput, Glasfaserkopplung optional
Applikatioun
l Detektioun vu schwaachem Liicht
l Glasfaser-Detektiounssystem
l Optesch Kommunikatioun am Raum
Bestellungsinformatiounen
| Modell Parameter | ROF-PR-11M-B | ROF-PR-13M-A |
| Äntwertfrequenz | Gläichstroum-11MHz | Gläichstroum-13MHz |
| Typ | Silizium (Si) | Indium-Galliumarsenid (InGaAs) |
| Liichtempfindlechkeet 1 | 320nm~1100nm | 900nm~1700nm |
| Fotosensitiv Beräich | Ø9,8 mm (75,4 mm)2 ) | Ø1,0 mm (0,8 mm)2 ) |
Bemierkung 1: Ongeféierleche Wäert; De tatsächleche Wellelängtewäert ka variéieren
Parameteren
| Leeschtungsspezifikatiounen 2 (KG-PR-11M-B) | |||
| 0dB Astellung | 40dB Astellung | ||
| Verstärkung (héije Widderstand>5k Ω) | 1,50 x 103V/A ±2% | Verstärkung (héije Widderstand>5k Ω) | 1,50 x 105V/A ±2% |
| Verstärkung (50 Ω) | 0,75 x 103V/A ±2% | Verstärkung (50 Ω) | 0,75 x 105V/A ±2% |
| 3dB Bandbreet 3 | 11 MHz | 3dB Bandbreet | 150K |
| Rauschen (RMS) | 400uV | Rauschen (RMS) | 500uV |
| Viruerteel | ±8 mV (Typ.) ±20mV (Max.) | Viruerteel | ±8 mV (Typ.) ±20mV (Max.) |
| 10dB Astellung | 50dB Astellung | ||
| Verstärkung (héije Widderstand>5k Ω) | 4,75 x 103V/A ±2% | Verstärkung (héije Widderstand>5k Ω) | 4,75 x 105V/A ±2% |
| Verstärkung (50 Ω) | 2,38 x 103V/A ±2% | Verstärkung (50 Ω) | 2,38 x 105V/A ±2% |
| 3dB Bandbreet | 1,4 MHz | 3dB Bandbreet | 50 000 € |
| Rauschen (RMS) | 350uV | Rauschen (RMS) | 520 uV |
| Viruerteel | ±8 mV (Typ.) ±20mV (Max.) | Viruerteel | ±8 mV (Typ.) ±20mV (Max.) |
| 20dB Astellung | 60dB Astellung | ||
| Verstärkung (héije Widderstand>5k Ω) | 1,50 x 104V/A ±2% | Verstärkung (héije Widderstand>5k Ω) | 1,50 x 106V/A ±2% |
| Verstärkung (50 Ω) | 0,75 x 104V/A ±2% | Verstärkung (50 Ω) | 0,75 x 106V/A ±2% |
| 3dB Bandbreet | 1,0 MHz | 3dB Bandbreet | 20 000 Millioune |
| Rauschen (RMS) | 380uV | Rauschen (RMS) | 760 uV |
| Viruerteel | ±8 mV (Typ.) ±20mV (Max.) | Viruerteel | ±8 mV (Typ.) ±20mV (Max.) |
| 30dB Astellung | 70dB Astellung | ||
| Verstärkung (héije Widderstand>5k Ω) | 4,75 x 104V/A ±2% | Verstärkung (héije Widderstand>5k Ω) | 4,75 x 106V/A ±2% |
| Verstärkung (50 Ω) | 2,38 x 104V/A ±2% | Verstärkung (50 Ω) | 2,38 x 106V/A ±2% |
| 3dB Bandbreet | 400K | 3dB Bandbreet | 10 000 Millioune |
| Rauschen (RMS) | 380uV | Rauschen (RMS) | 1,43 mV |
| Viruerteel | ±8 mV (Typ.) ±20mV (Max.) | Viruerteel | ±8 mV (Typ.) ±20mV (Max.) |
Notiz 2:ROF-PR-11M-B huet e 50 Ω Serienofschlosswiderstand (d.h. a Serie mam Verstärkerausgang ugeschloss). Dëst bilt e Spannungsteiler mat all Lastimpedanz (wéi z.B. eng 50 Ω Last, déi de Signal an der Halschent deelt).
Bemierkung 3: Féiert den Test bei enger Wellelängt vun 850 nm duerch. Fir noen Infrarout-Wellelängten gëtt d'Opstigzäit vun de Photodiodekomponenten méi lues, wat d'effektiv Bandbreet vum Verstärkungsdetektor limitéiere kann.
Allgemeng Parameteren
| Projet | Sym | Wäert |
| Detektortyp | - | Si |
| Fotosensitiv Uewerfläch | - | Ø9,8 mm (75,4 mm)2 ) |
| Héichpunktwellenlängt | λp | 960 nm (Typ.) |
| Héchst Äntwert | Â(λp) | 0,72 A/W (Typ.) |
| Ausgangsimpedanz | - | 50Ω |
| Maximal Ausgangsstroumamplitude | Imax | 100mA |
| Maximal Ausgangsspannungsamplitude | Vmax | 10,00V bei héijer Impedanz 5,00V bei 50 Ω Belaaschtung |
| Laaschtberäich | - | >50 Ω |
| Beräich vun der Verstärkungsjustierung | - | 0dB~70dB |
| Schrëtt Gewënn | - | 10 dB |
| Stroumschalter | - | Säit |
| Verstärkungsschalter | - | 8. Gang |
| Ausgab | - | SMA (DC-Kopplung) |
| Produktdimensiounen | - | 66,6 mm * 52,2 mm * 22,4 mm |
| PD Uewerflächendéift 4 | - | 6,1 mm |
| Gewiicht (ouni Accessoiren) | - | 70g |
| Accessoiren | - | SM1T1 Kupplung, SM1RR Halterring |
| Stroumversuergung | - | AC-DC ± 12V Adapter |
| Leeschtung vun der Stroumversuergung | - | 6 W 100V/120V/230V, 50-60 Hz |
Bemierkung 4: Déi ongeféier Héicht vun der Uewerfläch vun der Gehäusestruktur bis zur Uewerfläch vun der Photodiod kann an der Praxis zu Installatiounsfeeler féieren.
Limitéierend Bedingung
| Parameter | Sym | Eenheet | Min. | Typesch | Max |
| Optesch Inputleistung | Pinnen | mW | - | - | 25 |
| Aarbechtsspannung | Vop | V | ±10,8 | ±12 | ±13,2 |
| Betribstemperatur | Uewen | ºC | -10 | - | 60 |
| Lagertemperatur | Test | ºC | -40 | - | 85 |
| Fiichtegkeet | RH | % | 5 | - | 90 |
Kurv
Charakteristesch Kurve
ROF-PR-11M-B Empfindlechkeetsantwortdiagramm
Pakgréisst (mm)
Iwwer eis
Rofea Optoelectronics stellt eng breet Palette vun elektrooptesche Produkter vir, dorënner Modulatoren, Photodetekteren, Laserquellen, DFB-Laseren, optesch Verstärker, EDFAs, SLD-Laseren, QPSK-Modulatioun, gepulst Laseren, Photodetekteren, balancéiert Photodetekteren, Hallefleederlaseren, Lasertreiber, Faserkoppler, gepulst Laseren, Faserverstärker, optesch Leeschtungsmiesser, Breitbandlaseren, ofstëmmend Laseren, optesch Verzögerungen, elektrooptesch Modulatoren, Photodetekteren, Laserdiodentreiber, Faserverstärker, Erbium-dotiert Faserverstärker a Quelllaseren.
Mir bidden och personaliséiert Modulatoren, dorënner 1*4 Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mat ultra-niddregem Vpi an ultra-héijem Extinktiounsverhältnis, déi speziell fir Universitéiten a Fuerschungsinstituter entwéckelt sinn.
Dës Produkter verfügen iwwer eng elektrooptesch Bandbreet vu bis zu 40 GHz, e Wellelängteberäich vu 780 nm bis 2000 nm, niddrege Insertion-Verloscht, niddrege Vp an héije PER, wat se fir eng Vielfalt vun analogen RF-Links an Héichgeschwindegkeetskommunikatiounsapplikatioune gëeegent mécht.
Rofea Optoelectronics bitt eng Produktlinn vu kommerziellen elektrooptesche Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitéitsmodulatoren, Photodetekteren, Laserliichtquellen, DFB-Laseren, optesche Verstärker, EDFA, SLD-Laser, QPSK-Modulatioun, Pulslaser, Liichtdetektor, ausgeglachene Photodetektor, Lasertreiber, Glasfaserverstärker, optesche Leeschtungsmesser, Breitbandlaser, ofstëmmenden Laser, opteschen Detektor, Laserdiodentreiber, Glasfaserverstärker. Mir bidden och vill speziell Modulatoren fir d'Personaliséierung, wéi z. B. 1*4-Array-Phasenmodulatoren, ultra-niddrege Vpi- an ultra-héijen Extinktiounsverhältnismodulatoren, déi haaptsächlech an Universitéiten an Instituter benotzt ginn.
Hoffen, eis Produkter wäerten Iech an Ärer Fuerschung hëllefräich sinn.
