ROF-PD-70 InGaAs Photoempfänger Ultrabreetband-Fotodetektor
Fonktioun
Ultra héich Bandbreet
Héich Liichtreaktiounsfäegkeet
Niddreg donkel Stroum
Niddreg Standwelle vum Hafen
Applikatioun
Parameteren
Bemierkung: Wann net anescht uginn, ass d'Testtemperatur 25 ℃.
| Parameter | Sym | Testbedingungen | Min. | Typ | Max | Eenheet |
| Betribswellelängt | λ | 1260 | 1550 | 1570 | nm | |
| Reaktiounsfäegkeet | R | Pin=0dBm, Vr=+2, Vλ=1550 nm |
| 0,6 |
| A/W |
| Däischter Stroum | Id | Vr =+2 V |
| 20 | 60 | nA |
| 3 dB Bandbreet | BW | Pin=0dBm, Vr=+2, Vλ=1550 nm | 60 | 67 |
| GHz |
| RF-Reflexiounsverloscht | S22 | Pin=0dBm, Vr =+2, am Beräich vun 10M-67GHz |
| -10 | -8 | dB |
| Saturéiert optesch Leeschtung | Psat | Vr = +2 V, λ = 1550 nm |
| 7 |
| dBm |
Maximalen absoluten Nennwäert
Maximalen absoluten Nennwäert
| Parameternumm | Sym | Rgezielte Wäert | Eenheet |
| optesch Leeschtung | Ps | 10 | dBm |
| Positiv Virspannung | Vr | 5 | V |
| Betribstemperatur | Uewen | -40 ~ +70 | ℃ |
| Lagertemperatur | Tstg | -55 ~ +85 | ℃ |
Typesch Äntwertkurven:
D'Päckchen (Eenheet: mm)
Dimensiounen a Pin Definitioun
| PIN-Nummer | Funktionell Beschreiwung |
| BIAS | +1-3V (recommandéiert +2V) |
| Äerd | Äerdung |
| Glasfaser-Schnittstell | SMF-Faser/PMF-Faser, FC/APC-Stecker, Pin ≤ 10dBm (recommandéiert ≤ 0-7dBm) |
| RF-Schnittstell | 1,85 mm,Mamm |
Bestellungsinformatiounen
| R | PD | 70G | A | XX | XX | XX |
| Fotodetektor | -3dB Bandbreet 70---70 GHz | Betribswellelängt: 1260 ~ 1570 nm | SM ---- Single-Modus-Faser | Steckertyp FP ---FC/PCFA ---FC/APC | Kopplungsmethod: DC |
Virsiichtsmoossname fir d'Benotzung
1. Déi néideg ESD-Schutzmoossname solle getraff ginn, fir elektrostatesch Schied ze vermeiden.
2. Zitt net direkt un der Schwanzfaser fir den Apparat net ze beschiedegen.
3. Passt op, datt den optesche Stecker propper bleift, fir Kontaminatioun duerch Stëbs oder aner Friemkierper ze vermeiden, déi seng Leeschtung beaflosse kéinten.
Iwwer eis
Rofea Optoelectronics stellt eng breet Palette vun elektrooptesche Produkter vir, dorënner Modulatoren, Photodetekteren, Laserquellen, DFB-Laseren, optesch Verstärker, EDFAs, SLD-Laseren, QPSK-Modulatioun, gepulst Laseren, Photodetekteren, balancéiert Photodetekteren, Hallefleederlaseren, Lasertreiber, Faserkoppler, gepulst Laseren, Faserverstärker, optesch Leeschtungsmiesser, Breitbandlaseren, ofstëmmend Laseren, optesch Verzögerungen, elektrooptesch Modulatoren, Photodetekteren, Laserdiodentreiber, Faserverstärker, Erbium-dotiert Faserverstärker a Quelllaseren.
Mir bidden och personaliséiert Modulatoren, dorënner 1*4 Array-Phasenmodulatoren, Modulatoren mat ultra-niddregem Vpi an ultra-héijem Extinktiounsverhältnis, déi speziell fir Universitéiten a Fuerschungsinstituter entwéckelt sinn.
Dës Produkter verfügen iwwer eng elektrooptesch Bandbreet vu bis zu 40 GHz, e Wellelängteberäich vu 780 nm bis 2000 nm, niddrege Insertion-Verloscht, niddrege Vp an héije PER, wat se fir eng Vielfalt vun analogen RF-Links an Héichgeschwindegkeetskommunikatiounsapplikatioune gëeegent mécht.
Rofea Optoelectronics bitt eng Produktlinn vu kommerziellen elektrooptesche Modulatoren, Phasenmodulatoren, Intensitéitsmodulatoren, Photodetekteren, Laserliichtquellen, DFB-Laseren, optesche Verstärker, EDFA, SLD-Laser, QPSK-Modulatioun, Pulslaser, Liichtdetektor, ausgeglachene Photodetektor, Lasertreiber, Glasfaserverstärker, optesche Leeschtungsmesser, Breitbandlaser, ofstëmmenden Laser, opteschen Detektor, Laserdiodentreiber, Glasfaserverstärker. Mir bidden och vill speziell Modulatoren fir d'Personaliséierung, wéi z. B. 1*4-Array-Phasenmodulatoren, ultra-niddrege Vpi- an ultra-héijen Extinktiounsverhältnismodulatoren, déi haaptsächlech an Universitéiten an Instituter benotzt ginn.
Hoffen, eis Produkter wäerten Iech an Ärer Fuerschung hëllefräich sinn.












